费米能级钉扎会让半导体中的电子和空穴的分布受到限制,从而影响电流的流动。 比如说,在某些情况下,费米能级钉扎会导致IV曲线变得平缓。这就好像运动员跑累了,速度提升得很慢很慢。原本电压增加一点,电流应该大幅增加的,可现在电流只是懒洋洋地动了一点点。 再比如,费米能级钉扎还可能让IV曲线出现奇怪的弯曲。这...
然而,金属-半导体接触处的费米能级钉扎(FLP)是阻碍WSe2进一步集成到CMOS技术的关键问题。 有鉴于此,近日,韩国成均馆大学Won Jong Yoo等报道了利用氧(O2)等离子体处理的简易掺杂方法和老化效应来克服WSe2FET的FLP。老化后,氧化WSe2FET上的FLP降低,空穴的钉扎因子(S)从-0.06降低到-0.36。此外,高(Pd)和低(In)...
本文在电子态密度模型研究金属栅/高k结构费米能级钉扎效应的基础上,重点分析了高k/SiO2/Si中间层氧空位对全栅结构费米能级钉扎效应的影响,理论研究表明SiO2中氧空位对金属/高k界面真空能级产生影响,并进一步改变其费米能级钉扎效应以及金属栅极的有效功函数. 查看全部>>关键...