质子化g-C3N4/BiOBr异质结光催化剂及制法专利信息由爱企查专利频道提供,质子化g-C3N4/BiOBr异质结光催化剂及制法说明:一种质子化g‑C3N4/BiOBr异质结光催化剂,是由花球状BiOBr与原位生长于其上的g‑C3N4...专利查询请上爱企查
称取竹茎炭球0.01g超声分散于水中,加入7wt%peg溶液,搅拌均匀后滴加质子化的g-c3n4溶液1.5ml,70℃水浴振荡60min后,离心、洗涤、烘干,得到质子化的g-c3n4包裹竹茎炭球复合催化剂。 (4)光催化降解试验: 取步骤(3)中制备的质子化的g-c3n4包裹竹茎炭球复合催化剂,在光化学反应仪中进行光催化降解试验,测得该光...
本发明制备质子化的g‑C3N4包裹竹茎炭球复合催化剂的方法具体如下:首先煅烧三聚氰胺制备质子化的g‑C3N4;然后,以竹茎为原料,采用两次水热反应制备竹茎炭球;最后,以竹茎炭球、g‑C3N4、PEG溶液为原料,水浴振荡制备得到质子化的g‑C3N4包裹竹茎炭球复合催化剂;并将该复合催化剂用于降解四环素。本发明采用的...
针对该挑战,浙江师范大学胡勇教授课题组提出了异质结与结构缺陷协同构建策略,即在稀硝酸辅助下,于超薄质子化C3N4(p-C3N4)纳米片上原位生长氧空位(VO)可调的InVO4纳米带,成功合成了S型异质结(p-C3N4/InVO4)用于有效的CO2光还原。硝酸...
研究发现,质子化g-C3N4纳米片(pCN)和BiVO4都是新型的可见光响应催化剂,且两者的能带结构较为匹配,因此笔者构建了传统II型异质结pCN/BiVO4.该异质结的构建虽然可以有效抑制光生电子和空穴的复合,但难以生成羟基自由基等活性基团.因此笔者又设计了一种新型的"半导体-导体-半导体"Z型异质结来解决这个问题,其中导体...
结果表明,所制备的g-C3N4纳米带与浓H2 SO4发生了明显的质子化作用.相比体相g-C3 N4,g-C3 N4-H2 SO4纳米带禁带宽度明显增大,光生电子-空穴对复合率有效降低.以亚甲基蓝为目标污染物,研究了g-C3 N4-H2 SO4纳米带在紫外光下的光催化活性,结果表明,g-C3 N4-H2 SO4纳米带在2 h内对水溶液中MB的降解率可...
C3N4通过HCl质子化后 C3N4-HCl，其中H以怎样的方式存在，是否是与N成盐？如果想C3N4部分N或NH质子化...
(4)将bivo4/质子化g-c3n4复合材料溶于去离子水中,在室温下进行超声处理10min后加入agno3溶液,在黑暗条件下中搅拌1h,在搅拌过程中滴加ki溶液,继续搅拌1h后进行洗涤、干燥,得到bivo4/质子化g-c3n4/agi三元复合光催化剂。 优选的,所述步骤(1)中bi(no3)3·5h2o与nh4vo3的摩尔比为1:1。
构建的 2D/2D 超薄 ZnIn2S4/ 质子化的 g-C3N4纳米复合材料有助于在异质结界面上形成均匀的形貌和光生载流子的高效迁移。在此,制备的 2D/2D 超薄 ZnIn2S4/ 质子化 g-C3N4纳米复合材料的优异可见光光催化性能被获得。 图文解析...
我们正在用稀硫酸对氮化碳进行质子化改性的研究，成果应该很快就发表了。不过，之前还是参考的那篇JACS...