-5V 输入电平:兼容 TTL 电平 输出电平:0/-5V 静态电流:1mA 芯片尺寸:0.6×1.13×0.1mm3 产品简介: HH-FEN1A 是 1 位负压输出 FET 驱动器芯片,采用 GaAs 工艺制作,可将输入的 TTL 脉冲信号生成-5V/0V 的互补脉冲信号输 出.该产品可广泛应用于控制 FET 开关,数控衰减器,数控移相...
通过上述描述可知,本发明技术方案提供的负压产生电路以及芯片中,所述负压产生电路包括:第一电容,一个极板连接第一节点,所述第一节点用于输出第一电压信号;另一个极板连接第二节点,所述第二节点用于输出第二电压信号;第一开关,连接输入外部电源电压的端口与所述第一节点;第二开关,所述第一节点通过所述第二开关接地...
1、鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种负压电荷泵电路、芯片和电子设备,从而使得驱动电路中各元件的耐压值均不小于电源电压即可。 2、根据本发明的一方面,提供一种负压电荷泵电路,包括电荷再分配模块,包括飞跨电容器、第一和第二充电开关以及第一和第二放电开关,所述电荷再分配模块用于通过所述充电开关和放电开关...
2.负压采样电路被设置在电池保护芯片中,可以对电池的负压进行检测,一般情况下,负压来自于充电器,当充电器电压较大时,就会产生较大负压,现有技术在负压采样相关电路中全部使用栅源耐高压的高压mos管以解决电池保护芯片的耐压问题。 3.但是高压mos管尺寸大面积大,芯片面积大则成本高,且高压mos管导通阈值较高,则最低...
24.一种射频开关芯片,其包括依次连接的驱动电压模块、电平转换模块、射频开关,所述驱动电压模块包括正压电荷泵、负压电荷泵,所述正压电荷泵用于为所述电平转换模块提供正压,所述负压电荷泵用于为所述电平转换单元提供负压,所述电平转换模块用于将所述正压、负压转换为的控制电压,所述控制电压用于对所述射频开关中开关的...
-5V 输入电平:兼容 TTL 电平 输出电平:0/-5V 静态电流:1mA 芯片尺寸:0.6×1.13×0.1mm3 产品简介: HH-FEN1A 是 1 位负压输出 FET 驱动器芯片,采用 GaAs 工艺制作,可将输入的 TTL 脉冲信号生成-5V/0V 的互补脉冲信号输 出.该产品可广泛应用于控制 FET 开关,数控衰减器,数控移相...
04 驱动电路 HH- FEN1 GaAs MMIC 驱动电路 性能特点: 输出信号:-5V/0V 开关时间:20ns 芯片尺寸:0.7mm×0.85mm×0.1mm 产品简介: HH-FEN1 是 1 位负压输出 FET 驱动器芯片,采用 GaAs 工艺制作,可将输入的 TTL 脉冲信号生成-5.1V/-0.3V 的互补脉冲信号 输出.该产品可广泛应用于控制 ...
1.一种有效降低负压的驱动芯片电路的改善电路,包括驱动芯片、与驱动芯片连接的上桥mosfet管和下桥mosfet管,其特征在于:还包括降压电阻一、降压电阻二、二极管一、二极管二、二极管三、电容一、电容二、电容三、电容四、+15v电源和+48v电源,所述上桥mosfet管包括mos管一和mos管二,下桥mosfet管包括mos管三和mos管四,...
一种负压引导的微流体自律运动的微流控芯片,包括盖板和基板,所述盖板的中心位置加工有储液池和阻隔膜,所述基板的上表面上沿圆周方向等分地均匀分布加工有若干组生物检测用微细结构,所述盖板和基板在真空或者热饱和蒸汽下封装密闭,当微流控芯片移回常温常压下时,所述微细结构内部具有一定的负压,微流体由储液池进入...