工业级荧光光纤温度传感器读出电路的I/O引脚需要片上集成高性能静电放电(ESD)保护器件。采用0.18 µm标准BCD工艺制造的基本N型埋层栅控可控硅(NBL-GCSCR)失效等级难以满足需求。因此,基于相同半导体工艺,提出片上集成新型高失效等级深N...
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