您好,在室温下,硅的本征载流子浓度约为 n_i_Si = 1.0×10^10 cm^(-3),锗的本征载流子浓度约为 n_i_Ge = 2.6×10^13 cm^(-3),砷化镓的本征载流子浓度约为 n_i_GaAs = 2.1×10^6 cm^(-3)。以下是解析:根据半导体理论,室温下硅、锗、砷化镓的费米能级分别为 EF_Si = 0....
利用表3-2中的m*n,m*p数值,计算硅、锗、砷化镓在室温下的NC,NV以及 本征载流子的浓度。 NC 2koTm3 2(___)2 h2 2koTm3 5Nv 2( p)2 h2 ni(NcNv) 1___ 2e2koT Ge :m0.56m ;m o.37m0 ;Eg...
利用表3-2中的m*,m*数值,计算硅、锗、砷化镓在室温下的NN以及本征载流子的浓度。NC2koTm32(___)2h22koTm35Nv2