本发明涉及声波谐振领域,特别是涉及一种西沙瓦波声表面波谐振器、裸芯片及通信组件,从下到上依次包括衬底、定向导能结构、第一压电层、图形化的第二压电层及叉指电极;所述第一压电层和/或所述第二压电层包括钽酸锂层、铌酸锂层、氮化铝层、掺钪氮化铝层、氧化锌层及压电陶瓷层中的至少一种;所述定向导能结构...
本发明涉及声波谐振领域,特别是涉及一种西沙瓦波声表面波谐振器、裸芯片及通信组件,从下到上依次包括衬底、第一压电层、图形化的第二压电层及叉指电极;所述第一压电层和/或所述第二压电层包括钽酸锂层、铌酸锂层、氮化铝层、掺钪氮化铝层、氧化锌层及压电陶瓷层中的至少一种;所述第一压电层的声阻抗与所述...