张进成,西安电子科技大学副校长、教授,西安电子科技大学副校长、宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任,曾担任ICNS、DRIP、APWS等国际学术会议电子器件分会主席,微电子学院副院长,科学研究院院长。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件,发表SCI论文300余篇,出...
赞 分享 科研之友 微信 新浪微博 Facebook 分享链接 张进成 西安电子科技大学, 教授 / 科研之友号:86837852 科研之友人员唯一编号 2 项目 562 成果 8280 阅读 7 下载 3897 被引 32 H-指数 主页 成果 相关人员 更多 产品服务 科研之友 科研之友机构版 科创云 站内浏览 科研成果 科研...
4月10日,在2024武汉九峰山论坛上,西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关,展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。通过调控外延工艺,外延片不均匀性控制在4%以内,所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%,击穿电压突破了2000V。 而在今年1月,致能科技还与郝跃院士、张进成...
张进成 西安电子科技大学副校长、教授 张进成,西安电子科技大学副校长、教授,西安电子科技大学副校长、宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任,曾担任ICNS、DRIP、APWS等国际学术会议电子器件分会主席,微电子学院副院长,科学研究院院长。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半...
张进成,男,博士,1976年生,陕西省人。现任西安电子科技大学微电子学院教授,博士生导师,宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任,陕西省大功率半导体照明工程技术研究中心副主任,2009年国家技术发明二等奖获得者(排名第二),IEEE会员,中国电子学会空间电子学分会第六届委员。先后入选2010年陕西省"新世纪三五人才"计划,被...
张进成,男,博士,1976年生,陕西省人。现任西安电子科技大学微电子学院教授,博士生导师,宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任,陕西省大功率半导体照明工程技术研究中心副主任,2009年国家技术发明二等奖获得者(排名第二),IEEE会员,中国电子学会空间电子学分会第六届委员。先后入选2010年陕西省"新世纪三五人才"计划,被...