衬底辅助耗尽效应sjrldmos结构衬底辅助效应在漏端更显著原因在漏区形成缓冲区域降低衬底辅助耗尽效usjldmos结构该结构主要特点是从源端到漏端n区宽度逐渐增加n区的过剩电荷弥补了衬底辅助效应引起的电荷不足 横向超级结器件衬底辅助效应的研究与展望 LDMOS:横向双扩散金属氧化物半导体。在同一窗口进行两次杂质扩散形成沟道...
衬底辅助耗尽效应:在该结构中,N柱和P衬不仅形成PN结相互耗尽,还要与P柱区相互耗尽。P型衬底与N柱形成的PN结产生纵向电场,这个纵向电场使P柱区杂质过剩,打破了N住区与P柱区的电荷平衡,大大降低了器件的击穿电压。解决方案:蓝宝石上的超结LDMOS优势:可以使P柱区和N柱区相互耗尽,电场均匀,实现了完全的电隔离,...
SJRLDMOS结构衬底辅助效应在漏端更显著(原因),在漏区形成缓冲区域降低衬底辅助耗尽效应。USJLDMOS结构该结构主要特点是从源端到漏端N区宽度逐渐增加,N区的过剩电荷弥补了衬底辅助效应引起的电荷不足。OB技术用MOS结构代替SJ结构,就不会产生衬底辅助效应。工艺复杂。PSOIOBLDMOS结构和OB技术相比开有硅散热窗口,提供导热...
衬底辅助耗尽效应 横向超级结器件衬底辅助效应的研究与展望 LDMOS:横向双扩散金属氧化物半导体。在同一窗口进行两次杂质扩散形成沟道。 LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在相同的源/漏区域注入两次,一次注入浓度较大(典型注入剂量 1015cm-2)的砷(As),另一次注入浓度较小(典型剂量1013cm-2)的硼(B)。
SJ—LDMOST中的衬底辅助耗尽效应
文档介绍:SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应 引言 横向功率DMOST(Double-diffusedMOS Transistor)器件自从上世纪70年代问世以来,作为多子器件,由于具有高的输入阻抗、好的关断特性、易于集成等优点,在许多领域取代传统的双极器件得到广泛的应用。而器件设计中面临的主要折衷就是击穿电压和比导通电阻之间的折衷。对于满足RESURF...
衬底辅助耗尽效应机理 纵向超结结构同时兼具高耐压、低导通电阻特性，但当将超结思想引入横向DMOST 时，设计中首先面临的是消除衬底辅助耗尽效应(Substrate-Assisted-Depletion Effect)[4]。图1为基于硅基常规横向超结DMOS 器件的三维结构图。由该图可以看出，常规LDMOS 的N －漂移区被相间的高掺杂浓度P 型和N 型...
【题目】求翻译,微电子专业的.有道,google自动翻译都试过了,感觉不好用啊Super Junction LDMOS器件因为较低的反向击穿电压以及衬底辅助耗尽效应,限制了他的应用.所谓Super Junction(超结),是指交替的高浓度的N区和P区构成了漂移区,N区与P区在反向偏置电压下会相互补偿耗尽,达到电荷平衡,漂移区的电场将会均匀分布....
衬底辅助耗尽效应 1. A new design concept is proposed to eliminate thesubstrate-assisted depletion effectthat significantly degrades the breakdown voltage (BV) of conventional super junction-LDMOS. 针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高...
摘要 本发明公开了一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构,该结构包括底层硅膜,导电层,埋氧层,有源区,沟槽隔离结构,电极;底层硅膜位于该结构的最底层;导电层位于底层硅膜的上表面,包括电荷引导层和生长于电荷引导层的上、下表面的阻挡层;埋氧层位于导电层的上表面;有源区包括源区、沟道区、漏区、...