本书以光刻工艺为主线,有机地将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建模思想和推导、芯片制造的技术发展要求以及对光刻工艺各项参数的要求紧密地联系在一起,给读者一个整体的图景。《衍射极限附近的光刻工艺》可供光刻技术领域科研院所的研究人员、大专院校的教师和学生、集成电路工厂的工程技术人员...
在光刻工艺中,通过控制原始图形、光源直径和曝光时间等参数,可优化衍射极限附近的光刻工艺。首先,原始图形的生成需要选择一种优化边缘的编解码方式,即利用较低频率的图案将衍射现象消除。其次,通过优化光源直径、曝光时间等参数,可以缩小衍射极限附近的误差。最后,在实际光刻过程中,需要注意防抖动技术的使用,以确保光刻结...
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1.8极紫外光刻的发展和导向自组装的发展 结语 引文 第2章光刻工艺概览 2.1光刻的整体技术要点 2.2光刻工艺的流程 2.2.1第一步:气体硅片表面预处理 2.2.2第二步:旋涂光刻胶,抗反射层 2.2.3第三步:曝光前烘焙 2.2.4第四步:对准和曝光 2.2.5第五步:曝光后烘焙 ...
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