蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。蚀刻原理。工艺流程。蚀刻工艺把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去,从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。 蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和...
传统的等离子体蚀刻工艺通常用于MEMS加工中形成浅腔。后来20世纪90年代中期,科学家们推出了深度反应离子蚀刻(Deep reactive ion etching,DRIE)系统,可以蚀刻具有几乎垂直侧壁的高深宽比沟槽,其深度超过可达500μm。 德国斯图加特的Robert Bosch GmbH的有一种DRIE专利方法,其中蚀刻和沉积步骤在ICP-RIE系统中交替进行,具体...
刻蚀选择性(Etch Selectivity)是描述在刻蚀过程中,所需材料与不应被刻蚀的材料之间刻蚀速率的比值。刻蚀选择性可以用来描述掩膜和目标材料的蚀刻速率之间的相对蚀刻速率,也可以是不同材料层之间的相对蚀刻速率。如果一个目标材料被刻蚀的速度是掩膜或基底材料的10倍,那么刻蚀选择比就...
蚀刻技术的铜版画美术和半导体工艺存在方法上的差异；在美术中，利用锋利的雕刻工具制造出线路，而在工程中，首先用光刻胶（Photo Resist）制造出保护膜。然后进行蚀刻 这样的蚀刻工序根据引起反应的物质的状态可以分为湿法和干法两种。干法与湿法相比有费用高、方法难等缺点，但最近为了提高产出率和超细电路蚀刻，干法被...
蚀刻工艺的分类 1、湿法刻蚀 这是传统的刻蚀方法。把硅片浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中,使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去。例如,用一种含有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜,用磷酸刻蚀铝薄膜等。这种在液态环境中进行刻蚀的工艺称为“湿法”工艺,其优点是操作简便、对设备要求低、易...
前两篇分别讲述了:(一)晶圆片的制造;(二)、光刻工艺及设备。本篇讲述(三):蚀刻工艺及设备。 在晶圆上完成电路图的光刻后,就要用刻蚀工艺来去除多余的氧化膜,留下半导体电路图。蚀刻,通常利用化学溶液、气体(或/和)离子体来去除选定的多余部分材料。
(3)图纹蚀刻工艺图纹化学蚀刻溶液的配方及工艺条件如下: 氯化铁(FeCl3) 650～800g/L 蚀刻加速剂 85～lO0g/L 盐酸(HCl,38%) 85～120g/L 蚀刻液温度 10～45℃ 磷酸(H3P04) 20～30g/L 浸渍时间 l5～25min 在操作过程中要严格控制溶液的温度和时间。温度过高、时间过长,油墨与板面的附着力下降,在蚀刻与...
万变不离其宗,作为 NPI 工程师,DFM 可制造性分析涉及的范围非常广,今天是关于PCB 蚀刻工艺、酸性蚀刻、碱性蚀刻。(篇幅较长,文字较多,建议收藏后观看) 蚀刻是 PCB 制造中最重要的工艺之一,简单点说就是湿法 PCB 蚀刻是控腐蚀的过程。在正常情况下,腐蚀会损坏金属,但通过效的加工工艺,可以控制腐蚀,这个过程称为...
金属蚀刻又称光化学蚀刻，是指在金属蚀刻过程中经过曝光、制版、显影，与化学溶液接触后，去除金属蚀刻区的保护膜，以达到溶解腐蚀、形成凸点、或挖空。最早用于制造铜板、锌板等印刷凹凸板，广泛用于减轻仪表板的重量，或加工铭牌等薄型工件。经过技术和工艺设备的不断改进，蚀刻技术现已应用于航空、机械、化工、半导体...