薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。这层膜可以有各种各样的材料，比如绝缘化合物二氧化硅，半导体多晶硅、金属铜等。从半导体芯片制作工艺流程来说，位于前道工艺中。随着集成电路的发展，晶圆制造工艺不断精细化，芯片结构的复杂度也在不断提高，需要在更微小的线宽上制造。制造商要求制备的薄膜品种也随之增...
1. 物理气相沉积（PVD）技术 A. 蒸发沉积 1. 工作原理与设备 蒸发沉积利用热能使材料从固态转变为气态，在真空环境中冷凝到基片表面形成薄膜。蒸发沉积有两种主要方式：热蒸发：通过电阻加热，使低熔点材料如铝、金、银等快速蒸发沉积。真空环境防止氧化并提高成膜纯度。电子束蒸发：通过高能电子束轰击靶材表面，使高...
按原理不同，薄膜沉积可分为物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，简称PVD）、化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）和原子层沉积（Atomic Layer Deposition，简称ALD）。其中，光伏薄膜沉积设备主要应用于太阳能晶硅电池片的制造环节，伴随光伏电池由P型向N型的升级，TOPCon所采用的薄膜沉积设备投资占比...
薄膜沉积(Thin Film Deposition)是在基材上沉积一层纳米级的薄膜,再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行,就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层,而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。 化学气相沉积(CVD) 化学气相沉积(CV...
反应或扩散也受到反应势垒E_{k}和反应物数量的限制。 为了避免互扩散,薄膜沉积在低温 (Z1和 ZT 区)。 快速热处理或能量增强 互扩散和结构 在多晶体中,扩散速率随晶粒结构的变化而变化; 在外延材料中,通过晶格的扩散要么发生在“间隙”中,要么发生在“取代”中。 互扩散速率也随着电场或机械应变的存在而增加。
薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。这层膜可以有各种各样的材料,比如绝缘化合物二氧化硅,半导体多晶硅、金属铜等。从半导体芯片制作工艺流程来说,位于前道工艺中。 随着集成电路的发展,晶圆制造工艺不断精细化,芯片结构的复杂度也在不断提高,需要在更微小的线宽上制造。制造商要求制备的薄膜品种也随之增加...
芯片是由一系列有源和无源电路元件堆叠而成的3D结构,薄膜沉积是芯片前道制造的核心工艺之一。从芯片截取横截面来看,芯片是由一层层纳米级元件堆叠而成,所有有源电路元件(例如晶体管、存储单元等)集中在芯片底部,另外的部分由上层的铝/铜互连形成的金属层及各层金属之间的绝缘介质层组成。芯片前道制造工艺包括氧化扩...
摘要:半导体制程之薄膜沉积 在半导体组件工业中,为了对所使用的材料赋与某种特性,在材料表面上常以各种方法形成被膜而加以使用,假如此被膜经由原子层的过程所形成,一般称为薄膜沈积(蒸镀处理)。采用蒸镀处理时,以原子或分子的层次控制蒸镀粒子使其形成被膜,因此可以得到以热平衡状态无法得到的具有特殊构造及功能的...
薄膜沉积(镀膜)是在基底材料上形成和沉积薄膜涂层的过程,在基片上沉积各种材料的薄膜是微纳加工的重要手段之一,薄膜具有许多不同的特性,可用来改变或改善基材性能的某些要素。例如,透明,耐用且耐刮擦;增加或减少电导率或信号传输等。薄膜沉积厚度范围从纳米级到微米级。