百度试题 题目蓝宝石上可以外延生长硅。 A.正确B.错误相关知识点: 试题来源: 解析 A
蓝宝石衬底上硅外延技术sos晶片显示缺陷湮没主要方法是采用了双固相外延dspe改善膜的质量所谓双固相外延就是首先对sos膜进行高能量的硅离子注入e170kevd1015cm注入的峰值分布在硅蓝宝石界面附近使得界面附近的硅无定形化但膜表面的单晶层不被破坏然后进行退火9001小时也就是以表面半导体学报卷单晶层为籽晶进行固相外延...
SOS 隶属 CMOS 技术中绝缘体 衬底上的硅外延技术 (SOI)。 因为与生俱来的耐辐射特性,SOS 主要用于航 天和军事应用 。 通常情况下使用的是高纯度人工栽培的蓝宝石晶体。 通常是 由加热分解硅烷,后使之沉淀于蓝宝石衬底上得到硅。 SOS 的优势在于其极好 的电绝缘性 ,可有效防止杂散电流造成的辐射扩散到附近...
在蓝宝石上低温外延硅 文档格式: .pdf 文档大小: 1.65M 文档页数: 5页 顶/踩数: 0/0 收藏人数: 0 评论次数: 0 文档热度: 文档分类: 待分类 文档标签: 在蓝宝石上低温外延硅 在蓝宝石上低温外延硅,在蓝宝石上低温外延硅,在蓝宝石上低温外延硅 ...
蓝宝石上可以外延生长硅. 查看答案
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摘要: 本文提出了一种鉴定蓝宝石(或尖晶石)衬底上外延硅膜质量的方法.用一个F因子表征硅膜特性.该因子以吸收系数为表式并从反射光谱算出.对实验结果进行了讨论. 展开 关键词: 反射光谱 外延硅 尖晶石 蓝宝石 吸收系数 F因子 干涉条纹 折射率 宝石蓝 硅膜 DOI: CNKI:SUN:BDTX.0.1980-04-004 年份: 19...
蓝宝石上外延硅工艺 silicon on sapphire technique相关短语 doped silicon 掺杂硅 silicon brick 硅砖 silicon diiodide 二碘化硅 silicon diode 硅二极管,硅晶体二极管 silicon earth 硅土,硅质土 silicon hydride 硅烷,甲硅烷 silicon oxide 氧化硅,二氧化硅 silicon photocell 硅光电管 silicon photodetector 硅光电探...
下列哪种情况属于同质外延( )?A.在硅衬底上生长硅-锗合金B.硅衬底上生长硅C.在蓝宝石上生长硅D.GaAs 衬底上生长 AlxGa(1-x)As