萨支唐长期致力于半导体器件和微电子学研究,对发展晶体管、集成电路以及可靠性研究做出了里程碑性质的贡献。他提出了半导体p-n结中电子—空穴复合理论,开发了半导体局域扩散的平面工艺和MOS、CMOS场效应晶体管,并提出MOS晶体管理论模型,发明了探测半导体中微...
目前,萨支唐教授已发表了大约280篇学术论文,应邀做了约170次学术演讲,并且为社会培养了大批半导体专业人才,可谓是半导体器件和微电子学的学术泰斗。 2013年以来,已到耄耋之年的萨支唐与团队开辟了以水物理为代表的全新基础物理研究领域,运用半导体物理...
至罗星塔前马江又合为一，这分合之间拢成的江中之地，就是南台岛，也是现在福州市仓山区全域，就在这被闽江水孕育的宝藏苍山之地，走出了一位半导体器件和微电子学的学术泰斗——萨支唐院士，其在MOS半导体器件领域提出的“萨支唐方程”是集成电路发展历史上具有里程碑式的贡献！
仙童2N697的研制过程,全球第一个商用化的双扩散硅台面晶体管;双团队并行研发的机制;从肖克利半导体实验室到仙童半导体,一位中国人从事并掌控着整体工艺方面的研制工作—萨支唐先生,他是CMOS工艺技术的发明者,他是现代半导体工业的先驱之一。 正文: 第二章黎明之前第四十四节:萨支唐,站在仙童背后的那个中国人 ...
芯片战争77—萨支唐,伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校和中国校友团(曙光初现,1960-1964年) 中国人萨支唐先生;伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校与中国关系源远流长,海峡两岸的同宗同源的中国学子比比皆是。 正文: 第三章曙光初现第十八节:萨支唐,伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校和中国校友团 ...
萨支唐，作为福州萨氏家族的一员，其父萨本栋享有盛誉，是第一届中央研究院院士和厦门大学的前校长。萨支唐于1932年出生于中国北平，他在家乡完成了中学教育。1949年，他远赴美国，进入了著名的伊利诺伊大学，开始了他的学术生涯。在该校，他于1953年获取了学士学位，随后又前往斯坦福大学深造，于1956年...
萨支唐效应是BJT在小电流工作时的一种重要现象，该效应就是指发射结势垒区中的复合电流IE r使BJT放大系数降低的现象。该复合电流为 IE r ≈ q A xE ( ni / 2τ) exp(qVBE/ 2kT) 这就是说，复合电流与复合中心浓度（关系到τ）、势垒厚度xE、本征载流子浓度ni和发射结电压VBE等有关。复合电流将会导致...
是的,萨支唐教授微电子学。 一、萨支唐的教育与研究背景 萨支唐是一位在电子科学领域具有深厚背景的学者。他早年接受了系统的电子科学教育,并在微电子学领域取得了显著的学术成就。通过对其教育背景的梳理,我们可以发现,萨支唐不仅具备教授微电子学的学术资格,而且在该领域拥有丰富的研究经验。 二、...
萨支唐（Chih-Tang Sah），1932年出生，是一位杰出的物理学家，专攻微电子学领域。他是中国知名科学家萨本栋教授的公子，以其在半导体器件和微电子学领域的深厚造诣而闻名。在六十年代末，他提出了划时代的CMOS结构，这一创新对晶体管、集成电路以及可靠性研究产生了深远影响，堪称里程碑式的贡献。萨支...