Infineon 提供高性能的功率 MOSFET、MOS 管及 MOSFET 裸片,适用于低压应用。探索我们的 IGBT MOSFET 产品,提升消费电子、电源、DC-DC 转换器、电机控制器及汽车电子产品的效率。
英飞凌的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性和最佳可靠性。该系列产品采用分立封装,还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。CoolSiC™ MOSFET系列包含碳化硅MOSFET分立器件和MOSFET功率模块。其中,SiC MOSFET功率模块拥有三电平、fourpack、半桥、 sixpack和电流扩展等不同配置。
Q3 英飞凌的MOSFET是否能支持长时间线性工作的应用场合? 答:当MOSFET工作在线性区时,大的IDS和高VDS同时出现,此时的功耗极大。规格书里的SOA曲线是评估MOSFET是否适用的重要工具。如果规格书内的SOA曲线和实际应用条件不同时,比如TC,VGS, Duty cycle,可以寻求英飞凌的支持以获得对应的曲线。此外,还要注意: a. 连续线...
在这里,Io是指输出电流峰值 Io=1.414*Iorms,ma是调制度,Drr是反向恢复参数,Idon,Idoff是开通和关断MOSFET时候的电流。这个文档只是一个纲领性质的介绍,细节建议百度相关的论文。基于MOSFET Inverter的损耗计算还是很多的,方法可能有一定差异,但是殊途同归。 Q:并联使用MOS存在一些问题,那我们要怎样做才能避免这些问题?
在日新月异的电力电子行业,对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET,英飞凌进行了巨大的研发投入,以重新定义系统集成标准,使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。 在英飞凌,CoolMOS™ 8的推出意味着这些投入已经取得了成效。它是一项先进的MOSFET技术,集成快速体二极管...
英飞凌40V MOSFET比导通电阻代际演进 英飞凌OptiMOS™ 7 技术是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先...
2024年6月26日讯,英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了...
理解温度漂移本身只是理解了参数现象,最终我们还是要解决客户的实际使用问题。为了便于客户设计,英飞凌CoolSiC™ MOSFET G2的规格书可以提供高温下导通电阻的最大值,让客户的设计减少不必要的降额设计,从而用足器件的最大出力。 结论 SiC性能评价原则是多元的,有开关损耗、导通损耗、封装热阻/杂感、鲁棒性及可靠性等...
SiC MOSFET芯片面积小，电流密度高，发热集中，所以SiC MOSFET的短路时间大大小于IGBT，英飞凌CoolSiC™ MOSFET单管保证至多3us的短路时间，而模块保证至多2us的短路时间。在这么短的时间内识别出短路并关断功率器件，这对驱动芯片提出了非常高的要求。什么样的驱动芯片能满足SiC MOSFET的种种挑剔要求？英飞凌EiceDriver ...
英飞凌推出用于2kV碳化硅MOSFET模块的数字驱动评估板 半导体领域的创新者英飞凌科技近日发布了一款革命性的数字驱动评估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR,专为2kV碳化硅MOSFET模块设计。这款评估板为工程师们提供了一个快速、便捷的测试平台,以评估基于2kV碳化硅MOSFET样机的性能特性。 2024-05-11 11:33:45 ...