对于逆变器级,英飞凌提供两种解决方案:一种采用硅二极管,另一种采用CoolSiC™碳化硅二极管,采用TRENCHSTOP ™ IGBT7和CoolSiC ™碳化硅二极管的EasyPACK ™ 3B模块,较另一种可增加10%功率密度。 > 如欲了解更多产品信息,请查看我们的Easy产品页面。. ...
答：是的，目前1200V和650V的IGBT7单管的反并联二极管，都是和IGBT芯片电流等级相同的。这个从IGBT单...
本文围绕英飞凌IGBT7和EmCon7展开分析和讨论。主要基于三个基本概念：首先，IGBT7技术可最大限度地减少静态损耗，同时提高开关参数的可控性，实现应用所需的最优特性；其次，全新EmCon7能够实现更干净的开关，即减少振荡，同时降低功率损耗；第三，则是基于优化功率模块设计，将暂态的最高允许结温（TJ）提高至175°C时...
H7最大电流140A为市场首发,而英飞凌上一代1200V高速单管Highspeed3 H3的最大电流规格仅为75A。 封装升级,性能更优 IGBT7单管系列部分产品采用新的TO-247-3-HCC封装,增加了爬电距离和电气间隙。 非对称TO-247-4p封装IKZA系列,降低了辅助发射极和栅极引脚的宽度,避免焊接时连锡的现象,使安装更容易,...
规格跃迁:输出功率增大11%,而且采用IGBT7时可以简化系统设计,减小系统体积; 散热片减小:相同输出功率下散热片减少40%。 英飞凌IGBT7产品系列目前已赢得国内外各大领先工业驱动厂家的采纳和认可。 如需相关样品及技术资料,可与英飞凌科技联系获取。
英飞凌—1200 V IGBT7 功率模块 英飞凌 1200 V IGBT7 功率模块 坚固耐用的模块，适用于额定功率大于 100 kW 的严苛工业应用 英飞凌将最新的 1200V IGBT7 芯片技术引入成熟的 62 mm 模块外壳中，扩大了最大可用封装电流额定值，从而提高了电流密度，实现更高的系统性能和更多的设计选项。这些 62 mm 模块是额定...
IGBT的门极——发射极电容(CGE)及门极——集电极电容(CGC)都经过了优化,能让 IGBT7的dv/dt完全可控,并拥有最优化的开关波形。CGE设计得足够大,以避免寄生导通效 应。这使得IGBT7不再需要额外的门极电容。当RGon最小而RGoff最大时,是寄生导通的最坏 情况。额外的门极电容会增加门极振荡风险,也会增加门极驱...
900A 1700V Wave基板的 EconoDUAL™ 3 IGBT7模块 EconoDUAL™ 3 FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波浪结构，针对开放式液冷散热器应用进行了优化，以实现更高的功率密度和更长的使用寿命。目前的EconoDUAL™ 3 Wave产品组合新增了1700V电压等级的900A模块。产品型号：FF900R17ME7W_B11 900A 1700V EconoDUAL...
英飞凌中功率系列IGBT7模块到底有多香? 采用IGBT7中功率E7芯片62mm模块于2023年7月份正式上市,半桥和共发射极模块的最大标称电流达800A,实现了62mm模块的最高功率密度。该系列模块电流从450A到800A共6个规格,主要应用场景包括兆瓦级集中式光伏逆变器及储能 、不间断电源(UPS) 、通用电机驱动和新兴应用固态断路器。
采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM 高性能CIPOS™ Maxi转模封装IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP™ IGBT7和快速二极管Emcon 7技术。由于采用了最新的微沟槽设计芯片，该产品具有卓越的控制能力和性能，这大大降低了损耗，提高了效率，并增加了功率密度。产品组合包括从10A ，15A和20A三种...