为满足这一需求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5,这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用,额定电流为10 A至80 A,是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用
FF900R12ME7_B11采用了英飞凌的第七代IGBT晶圆技术。IGBT7采用了微沟槽(Micro Pattern Trench)结构, 如图2所示。与IGBT4相比其静态损耗显著降低，并且动态损耗并没有增加。搭配全新的第七代反并联二极管芯片—EmCon7能够实现更干净的开关，减小震荡，降低损耗。图2 微沟槽单元 图3是FF900R12ME7_B11与FF600R12ME...
近日,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新EasyPACK™ 2B模块。作为英飞凌1200 V系列的产品,该模块采用有源钳位三电平(ANPC)拓扑结构,并集成了CoolSiC™ MOSFET、TRENCHSTOP™ IGBT7器件、NTC温度传感器以及PressFIT压接引脚。此功率模块适用于储能系统(ESS)这样的快速开关应用,还有助于提...
英飞凌日前利用采用先进中性点钳位(advanced neutral-point-clamped ANPC)拓扑结构,将混合碳化硅(SiC)和IGBT功率模块EasyPACK 2B提升到1200V。该模块分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片组的最佳点损耗进行了优化,具有更高的功率密度和高达48 kHz的开关频率,适用于新一代1500V光伏和储能应用。 与传统的三电平...
品牌: INFINEON/英飞凌 电压: 3300V 电流: 1500A 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的抢购价等...
品牌 英飞凌 封装 模块 批号 2022+ 数量 8 产品系列 IGBT Voltage Class max 3300 V IC max 1500 A 功率Max 9800 W NTC热敏电阻 无 工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ) 可售卖地 全国 型号 FZ800R33KL2CNOSA1 PDF资料 可控硅及IGBT-IGBT-FZ800R33KL2CNOSA1-INFINEON/英飞凌-模块-2022+....
FZ1200R45KL3B5P2 是一款IHV 4500V、1200 A 190 mm单开关IGBT模块,带TRENCHSTOP™ IGBT3、发射极控制3二极管和隔离AlSiC基板。FZ1500R45KL3B5 是一款IHV 4500V/1500 A 190 mm 单开关 IGBT模块,配有第三代沟槽栅/场终止 IGBT、第三代发射极控制二极管和AlSiC绝缘基板。
为满足这一需求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出CoolSiC肖特基二极管2000V G5,这是市面上首款击穿电压达到2000V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流母线电压高达1500 VDC的应用,额定电流为10A至80A,是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美...
为满足这一需求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出CoolSiC™肖特基二极管2000V G5,这是市面上首款击穿电压达到2000V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流母线电压高达1500 VDC的应用,额定电流为10A至80A,是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的...
英飞凌推出适用于新一代1500V光伏和储能应用的Easy 2B功率模块-英飞凌日前利用采用先进中性点钳位(advanced neutral-point-clamped ANPC)拓扑结构,将混合碳化硅(SiC)和IGBT功率模块EasyPACK 2B提升到1200V。该模块分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片组的最