从诞生到现在的二十年间,FinEFT技术已经让芯片工艺节点制程最高突破到3nm。不过,3nm几乎已经逼近FinFET的极限,再往下发展,无论是鳍片距离、短沟道效应还是材料已经到达阈值,如果没有改变架构,芯片可能连物理结构都构不成。 所以,台积电的2nm制程用上了GAA技术,作为FinFET技术的演进,这也可以用来继续抑制短沟道效应的...
目前市场八成以上的芯片都是聚焦于10nm及以上工艺制程，只有屈指可数的几家巨头可以攻克7nm以及5nm。而为突破芯片性能的天花板，目前芯片制程工艺的物理极限——3nm势必是芯片企业的必争之地，毕竟相较于7nm FinFET，3nm芯片或可以减少芯片核心面积的45%，减少50%的能耗，增加30%的性能。但是我们知道在整体商业的社会...
国产EUV的制程极限不是5nm,是3nm!华为mate70将是首发搭载鸿蒙next,麒麟9100新麒麟芯片,在鸿蒙next的加持下再度释放芯片性能,将是多么恐怖?机圈又将产生怎样的浪潮?你期待了吗?#麒麟9100 #鸿蒙next #华为ma - 小白吃哇于20240604发布在抖音,已经收获了8.3万个喜欢,
忘了上次看到这项新兴技术是什么时候了,原来早都应用了吗 当芯片制作到3nm的物理极限了,芯片该如何发展?发布于 2025-01-09 23:02・IP 属地陕西 赞同 分享收藏 写下你的评论... 还没有评论,发表第一个评论吧登录知乎,您可以享受以下权益: 更懂你的优质内容 更专业的大咖答主 更深度的互动...
**3nm不是芯片制造的极限**。从物理性能上来说,半导体制程达到3nm就已经接近物理极限,已知硅原子的直径是0.22nm,芯片制程达到1nm就差不多已经达到极限。然而实际上,无论是台积电还是三星的3nm工艺都面临量产问题,也就是说它们的2nm乃至更先进的工艺都面临技术难题。业界都清楚当前的硅基芯片的极限就是1nm,可以说...
目前市场八成以上的芯片都是聚焦于10nm及以上工艺制程,只有屈指可数的几家巨头可以攻克7nm以及5nm。而为突破芯片性能的天花板,目前芯片制程工艺的物理极限——3nm势必是芯片企业的必争之地,毕竟相较于7nm FinFET,3nm芯片或可以减少芯片核心面积的45%,减少50%的能耗,增加30%的性能。