摘要: 本发明公开了一种LED芯片的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiON钝化层结构,包括依次生长在衬底上的n型半导体层、发光层、p型半导体层和ITO导电层,n型半导体层制作有n型电极,ITO导电层上制作p型电极,其特征在于:所述n型电极、p型电极外侧的芯片上表面依次沉积有Al<sub>2</sub>... 查看全部>> ...