掩模版(Photomask)又称光罩、光掩模、光刻掩模版、掩膜版、掩膜板等,是光刻工艺中关键部件之一,是下游行业产品制造过程中的图形“底片”转移用的高精密工具
然而，单一芯片的尺寸受限于曝光设备的处理极限，或者说是光罩尺寸极限（reticle limit），该极限目前为800平方毫米，所以若要在GPU中使用更多硅，就需要用两个以上裸晶（Die）制作，而关键在于将这些裸晶连接，使信号以极少能耗，从一个芯片快速传递至另一个芯片，宛如大芯片一样。台积电SoW能解决光罩尺寸极限和良率...
🔍【光罩尺寸大跃进】🔍 R100的设计让人眼前一亮!光罩尺寸激增至约4倍,超越前辈B100的3.3倍,这意味着什么?更广泛的应用场景,更强悍的处理潜能!🌈 🎮【8倍速HBM4内存加持】🎮 内存怪兽来了!R100内置8颗HBM4内存模块,与Grace CPU GR200强强联合,同为N3工艺,AI运算如丝滑般流畅,游戏开发者、科研大神们,...
然而,单一芯片的尺寸受限于曝光设备的处理极限,或者说是光罩尺寸极限(reticle limit),该极限目前为800平方毫米,所以若要在GPU中使用更多硅,就需要用两个以上裸晶(Die)制作,而关键在于将这些裸晶连接,使信号以极少能耗,从一个芯片快速传递至另一个芯片,宛如大芯片一样。
然而,单一芯片的尺寸受限于曝光设备的处理极限,或者说是光罩尺寸极限(reticle limit),该极限目前为800平方毫米,所以若要在GPU中使用更多硅,就需要用两个以上裸晶(Die)制作,而关键在于将这些裸晶连接,使信号以极少能耗,从一个芯片快速传递至另一个芯片,宛如大芯片一样。
从台积电投影看来,可能分为两种技术新选择,2026年即将推出的是CoWoS(SOIC)先进封装(即图左二),计划采用光罩尺寸达5.5倍,可采用12个HBM内存堆栈,以及容纳更大基板,其基板尺寸达100×100mm。 至于SoW技术(图中上圆形处)是将系统及芯片集成放在硅芯片上,图中的方型灰块是SoIC芯片连接HBM内存;黄色处是I/O,即信号...
然而,单一芯片的尺寸受限于曝光设备的处理极限,或者说是光罩尺寸极限(reticle limit),该极限目前为800平方毫米,所以若要在GPU中使用更多硅,就需要用两个以上裸晶(Die)制作,而关键在于将这些裸晶连接,使信号以极少能耗,从一个芯片快速传递至另一个芯片,宛如大芯片一样。
光罩（英文：Reticle, Mask），在制作IC的过程中，利用光蚀刻技术，在半导体上形成图型，为将图型复制於晶圆上，必须透过光罩作用的原理，类似于冲洗照片时，利用底片将影像复制至相片上。简介 业内又称光掩模版、掩膜版，英文名称 MASK 或 PHOTOMASK），材质：石英玻璃、金属铬和感光胶，该产品是由石英玻璃作为...