艾邦半导体网 跳至内容 热门标签 热压键合 代工 GaN 最新文章 三井金属计划扩大超薄铜箔产能瑶光半导体“SiC激光退火设备”顺利通过了省级首台(套)产品工程化攻关项目的验收勤凯科技:先进玻璃基板封装TGV所需的特殊电子浆料等将助未来业绩展望维持正向SKC在CES 2025上展示的半导体玻璃基板四方达与汇芯通信签署战略合作协议...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
发挥着极其重要的作用。 与石英和陶瓷等传统材料相比,三菱化学高新材料已研发出多种材料,既满足晶圆低污染加工的最严格要求,又是低成本的解决方案。➤Techtron® PPS➤Semitron® CMP XL20➤Ketron® 1000 PEEK➤Ertalyte® PET-P➤Duratron® PAI 等被设计并用于整个晶圆加工制程。 ➤Ketron® 10...
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第二代半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、砷化铝(AlAs)及其合金等。 图GaAs晶圆,来源:CMK 兴起时间:20世纪70年代 以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,GaAs、InP等第二代半导体材料开始崭露头角。磷化铟半导体激光器是光通信系统的关键器件,砷化镓高速器件更开拓了光...
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半导体制造的工艺过程由晶圆制造(Wafer Fabr ication)、晶圆测试(wafer Probe/Sorting)、芯片封装(Assemble)、测试(Test)以及后期的成品(Finish Goods)入库所组成。 半导体器件制作工艺分为前道和后道工序,晶圆制造和测试被称为前道(Front End)工序,而芯片的封装、测试及成品入库则被称为后道(Back End)工序,前道和...