近日,他们借助偏振分辨的低温荧光光谱技术在化学气相沉积法生长的单层MoS2中观察到了缺陷态的谷赝自旋特性;并通过STEM技术明确缺陷态来源于单硫和双硫空位;在10 K低温下,缺陷态发出远强于A激子的强荧光信号,并在 7T强磁场下,显示出明显的谷塞曼劈裂效应,其有效朗德因子(g因子)为- 6.2,高于A激子(~ 4.2)。第...
近日,他们借助偏振分辨的低温荧光光谱技术在化学气相沉积法生长的单层MoS2中观察到了缺陷态的谷赝自旋特性;并通过STEM技术明确缺陷态来源于单硫和双硫空位;在10 K低温下,缺陷态发出远强于A激子的强荧光信号,并在 7T强磁场下,显示出明显的谷塞曼劈裂效应,其有效朗德因子(g因子)为- 6.2,高于A激子(~ 4.2)。第...
近日,他们借助偏振分辨的低温荧光光谱技术在化学气相沉积法生长的单层MoS2中观察到了缺陷态的谷赝自旋特性;并通过STEM技术明确缺陷态来源于单硫和双硫空位;在10 K低温下,缺陷态发出远强于A激子的强荧光信号,并在 7T强磁场下,显示出明显的谷塞曼劈裂效应,其有效朗德因子(g因子)为- 6.2,高于A激子(~ 4.2)。第...