自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展.pdf,中国科学院物理研究所成立21 周年 自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展 韩秀峰4 (中国科学院物理研究所 磁学国家重点实验室- 北京- 511 561 )摘- 要- - 文章介绍了作者所在实验室在巨磁电阻(789 )、隧穿磁
可用于新型自旋电子学材料及相关器件的人工辅助设计;利用电子自旋共振谱探测和研究了金属氧化物的微观自旋结构和各向异性;在[CoFe /Pt]n 磁性金属多层膜中,观测到超高灵敏度的反常霍尔效应;利用纳米环状磁性隧道结作为存储单元,研制出一种新型纳米环磁随机存储器MRAM 原理型演示器件....
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