电流限制：通过限制通过热电阻的电流，可以减少自加热效应的影响。限制电流可以减少热电阻的自身发热，从而减小温度测量的误差。使用恒流源：使用恒流源可以确保通过热电阻的电流保持恒定，从而减少因电流波动而引起的自加热效应。适当选择热电阻材料：选择适当的热电阻材料也可以减少自加热效应。一些材料具有较低的电阻温度...
自热包正常使用时一般是安全的，但可能存在一些负面效应。首先，自热包反应过程中会释放大量热量，若在狭窄、不通风的空间使用，可能使局部温度过高，带来烫伤风险，比如在车内使用自热食品，高温可能损伤车内装饰。其次，自热包使用后变成废弃物，其成分复杂，难以降解，会对土壤等环境造成污染。再者，如...
金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，苏州安络微电子技术有限公司申请一项名为“一种温度自适应的自加热效应补偿方法及电路”的专利，公开号CN119845424A，申请日期为2025年1月。专利摘要显示，本申请实施例涉及传感器技术领域，尤其涉及一种温度自适应的自加热效应补偿方法及电路，方法包括：产生负温度系...
专利摘要显示，本申请实施例涉及传感器技术领域，尤其涉及一种基于机械挡片的自加热效应补偿方法及电路，方法包括：闭合挡片；对第一电阻施加偏置电流；微分电路检测所述第一电阻的电压变化斜率并存储斜率电压；打开挡片；积分电路基于所述斜率电压构造斜坡电压；电路读出时减去所述斜坡电压，以实现自加热效应的补偿；当电...
1.本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种鳍式场效应晶体管(fin field effect transistor,finfet)的自加热效应(self-heating effect,she)的测试结构。本发明还涉及一种finfet的自加热效应的测试方法。 背景技术: 2.如图1所示,是现有平面mosfet的散热路径的结构示意图;在半导体衬底101上形成有浅沟槽隔离102...
持续时长拟合自加热效应曲线;如此,由于任意波形发生器可以输出不同脉冲宽度、不同频率的脉冲信号,因此可实现多种工作负荷下的测试;并且由于示波器采集的是每个脉冲信号在0～100ns对应的电压数据,可确保采集到的当前脉冲信号对应的电压数据能准确反映上一脉冲信号自加热余热产生的影响,提高自加热余热累加效应对电压数据...
第一章绪论第一章绪论 多晶硅薄膜晶体管的发展及其应用随着低温技术和大面积技术的发展 多晶硅薄膜晶体管的应用也越来越广泛 如作为开关器件 用在有源矩阵的液晶显示器和有机发光显示器中【 】。除了应用在显示器中 多晶硅薄膜晶体管在其他方面也有所应用 低温技术的发展使得多品硅薄膜晶体管可以做在其它器件的上面 ...
本发明提供了一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统,方法包括:向待测半导体器件连续发送多个冷却不完全的脉冲信号;依次采集各脉冲信号预设时间段对应的电压检测值;预设时段为0～100ns;基于电压检测值确定待测半导体器件的各参考漏电流;基于各脉冲信号之间的漏电流差值及脉冲持续时长拟合自加热效应曲线;如此,由于任意波形...
在这些实验中,加热的气缸在混合对流状态下工作并暴露于逆流中,随理查森数的增加而线性地变化。据作者所知,本文所描述的工作是第一次详细的实验研究,目的是研究热效应对在混合对流状态下工作且处于逆流状态的加热气缸后面的尾流的影响。应该注意的是,根据本文给出的测量结果,将纯粹的水动力效应和与热物理性质的温度相...
提要SOIMOSFET中存在着严重的自加热效应,对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟SOIMOSFET直流特性的基础。文中通过对自加热效应的分析,建立了SOIMOSFET的自加热效应模型,在此基础上给出了一个包含自加热效应的短沟道SOIMOS FET直流模型,并对该模型进行了验证。