自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的,其工作原理如下。 当VS 降低到 IC 电源电压 VDD 或下拉至地时 (低端开关导通,高端开关关断),电源 VDD 通过自举电阻, RBOOT,和自举二极管, DBOOT,对自举电容CBOOT,进行充电,如图 2 所示。 当VS 被高端开关上拉到一个较高电压时,由 VBS 对该自举电容放电,
式中,ΔVBS为自举电路在上桥臂功率器件导通时所允许的最大电压降,VF为自举二极管正向压降,VBSmin为所要求的最低上桥臂驱动电压,VBSUV为上桥臂控制电压的欠压保护值,Vsat为下桥臂功率器件的饱和压降,THON为上桥臂的最大导通时间,ILeak为IPM模块规格书中所提供的上桥臂功率器件驱动所需的最大额定电流值。这样只...
原文:驱动电路设计(六)——驱动器的自举电源动态过程 自举电路在电平位移驱动电路应用很广泛,电路非常简单,成本低,而且有很多实际案例可以抄作业,不过,由于系统往往存在特殊或极端工况,如设计不当调制频率或占空比不足以刷新自举电容器上电荷,电容上的电压不够,低于欠压保护值UVLO,这时候就出现了系统故障,严重时会...
驱动电路有两类,隔离型的驱动电路和电平位移驱动电路,他们对电源的要求不一样,隔离型的驱动电路需要隔离电源,驱动集成电路一般都支持正负电源,而电平位移驱动电路一般采用非隔离的自举电源,一般是单极性正电源。 随着IGBT技术的发展和系统设计的优化,电平位移驱动电路应用场景越来越广,电路从600V拓展到了1200V。1200V系...
1.1 ◉ 设计要点与注意事项 在自举电路的设计与实施过程中，我们需遵循一系列的指南以确保其稳定且高效地运行。这些要点包括：设计自举电路时需确保下桥臂IGBT先导通以充电，保证电容足够能量，并监控电压以防止欠压保护。此外，自举电阻和二极管的选择对电路稳定运行至关重要。同时，使用自举电路来产生负压的情况较...
高侧MOS管关闭时,下侧MOS管导通,继续为自举电容进行充电,然后下管MOS关闭,自举电容放电,高侧MOS导通。 其实不单单是DC-DC电路中有用到自举电容,驱动电机的H桥驱动电路中也同样采用这种方式,原理都是一样。 如果这篇文章帮助到您了,可以给我点个关注和赞嘛 免责声明:本文转自核桃设计分享。本号对所有原创、转载...
自举电路设计核心问题是自举电阻Rroot和自举电容Cboot选取,电阻决定平均电压,电容影响纹波。 3 自举电源的电压会比驱动电路的供电电源电压VCC要低,其电压降取决于自举电阻的压降和自举电容上的纹波。按照可能的最小占空比正确选择电阻和电容值是关键,以保证上下管的驱动电压在设计值内。
从设计上看,这是一个很好的工业应用案例,涉及自举电路用在中功率驱动和工频50Hz的驱动中的应用。 评估板的型号为EVAL-1EDSIC-PFC-5KW,是采用交错图腾柱实现PFC的完整方案,三个半桥桥臂结构,见下图,两个高频桥臂的功率开关采用650V 22mΩ的碳化硅MOSFET IMBG65R022M1H,一个低频桥臂采用10 mΩ600V的CoolMOS...
自举电路优点简单、便宜,但占空比和开通时间受限于自举电容充电时间,自举电路如下图所示,电路的工作原理是,当Vs被拉到地时,VCC通过自举二极管给Cbs充电,形成自举电源Vbs。 影响Vbs的因素有:1、MOS栅极电荷要求,2、高边驱动电路静态电流,3、驱动IC中电平转换电路电流,4、自举电容漏电流(当自举电容为电解电容时才有,...
自举电路是指用电容器使放大电路中某部分产生自举现象,从而达到提高电路的增益和扩展电路的输出动态范围,使电容放电电压和电源电压叠加,从而使电压升高.有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 工作原理 图1是一个简单的电路,由欧姆定律可知,电阻R上流过电流为I=Va/R,如果我们在图1这个电路的基础上增加一级射极...