其实能斯特效应和霍尔效应从原理上基本相当,只不过霍尔效应是通过电势差导致电子从高能端流向低能端,然后在洛伦兹力的作用下产生电势差,而能斯特效应是通过温度导致电子从高能端(高温)流向低能段(低温),然后在洛伦兹力的作用下产生横向电势差。 1.1、正常能斯特效应 Nernst effect是热电效应研究中一个比较常见的物理学现象,全称是first
摘要节选:反常能思特效应(ANE)产生垂直于温度梯度的横向电压。与用于能量转换的纵向热电相比,它具有电子和热输运解耦、更高的灵活性和更简单的横向结构等优点。 在这项工作中,从理论上证明了一对Dirac节点在Z…
能斯特效应可由能斯特系数量化,该系数被定义为: 20世纪50年代,T.V.克里洛娃(T.V.Krylova)、I.V.莫肯(I.V.Mochan)和许多其他研究者观察到半导体表现出的能斯特效应,而在金属中,能斯特效应极小,难以观察。R.P.肖波尼尔(R.P.Huebener)等人发现能斯特效应存在于Ⅱ型超导体的涡旋相中。2000年,许祝安和N....
最近,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室的朱礼军团队在单晶CoFe (001)薄膜器件中观测到各向异性的平面能斯特效应(Planar Nernst Effect),其强度随 (001) 晶面的晶格方向强烈变化并呈现面内双轴各向异性(见图1)。当磁矩在外磁场驱动下在薄膜材料平面...
最近,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室的朱礼军团队在单晶CoFe (001)薄膜器件中观测到各向异性的平面能斯特效应(Planar Nernst Effect),其强度随 (001) 晶面的晶格方向强烈变化并呈现面内双轴各向异性(见图1)。 当磁矩在外磁场驱动下在薄膜材料平面内旋转时,电流产生的温度梯度导致的平面能斯特电...
当电流、磁场与电压三者处于同一平面时,这种特殊构型被称为平面能斯特效应。例如在薄层半导体材料表面,沿着水平方向施加电流,垂直材料表面施加磁场,此时在材料平面内会形成横向电势差。 实验室中观察平面能斯特效应需要精密测量装置。在真空环境下将样品固定在可旋转载物台,电磁铁提供可控磁场环境,四探针法可准确测量横向...
埃廷斯豪森效应在高温条件下,随着磁场强度方向改变,其作用可能更为突出。当工作电流保持恒定时,能斯特效应受磁场强度方向改变的影响依然存在。 不等位效应的程度与工作电流的频率变化并非直接关联。磁场强度方向快速改变时,埃廷斯豪森效应产生的电压波动幅度较大。能斯特效应在特定的工作电流范围内,对磁场强度方向的敏感...
反常能斯特效应(anomalous Nernst effect,ANE)是一种横向的热电效应,即铁磁材料在受温度梯度影响时产生的一种与温度梯度方向和自发磁化方向相垂直的电势差。反常能斯特效应克服了正常能斯特效应需要在强磁场下才能实现的缺点,并且所产生热电压方向与...
在Na3Bi和NaTeAu中,横向能斯特电导率是由贝里曲率效应驱动的,其中外部磁场的存在是为了诱导塞曼分裂。 NaTeAu相对于温度的最大ANC。 Na3Bi和NaTeAu的最大反常能斯特电导率(ANCs)与磁场的关系。在较小的磁场下, ANCs变为非零。 磁场强度的估算 NaFeTe2Au2 ...
近日，法国格勒诺布阿尔卑斯大学的Mathieu Jamet研究团队通过一个精巧的实验，在单层二硒化钨中清楚地观察到了谷能斯特效应，证实了中国科学院大学苏刚研究团队2015年给出的理论预言，实验结果与理论预言值非常吻合，未来在热电转换器件的大规模应用上具有较大的发展潜力。能斯特效应（Nernst effect）是一种横向热电效应...