在很多设计电子结构（能带结构计算）的文献中，往往会因为LDA、GGA对带隙的过短估计而做出说明。其中很多...
最近使用Materials studio的castep计算SnTe这类半导体的一些能带和DOS,目的是能够实现接近文献报道的能带结构(重要参考值:带隙和∆EL-Σ),按照多篇文献中给出的参数 和 自己优化的截断能/K网格参数,分别计算了单胞和2x2x2超胞SnTe的能带结构,得到的单胞带隙的值能够与报道的接近,但是能带细节结构仍然与报道文献...
它是二维材料，而且中间是个苯环，手动加H原子就会出现两个。调到中间以后两个合在一起了，计算的时候...
“Ba、Gd共掺杂SrTiO3结构的能带计算”出自《伊犁师范学院学报(自然科学版)》期刊2013年第2期文献,主题关键词涉及有SrTiO3、掺杂、第一性原理、能带结构、态密度等。钛学术提供该文献下载服务。
2. 看你发的文献用很可能开了自选轨道耦合LSORBIT = .TRUE.，另外使用自旋轨道耦合需要ncl版本的VASP。
最近使用Materials studio的castep计算SnTe这类半导体的一些能带和DOS，目的是能够实现接近文献报道的能带结...
计算二维WS2，得到的能带结构导带最低点在K点，而文献中在K和G中点，什么原因？如何解决？发自小木虫...