该研究利用边缘位错诱导的晶格应变能带调节策略,开发了一种用于海水分离的高效氧化铁HER电催化剂。通过先进的原位表征和XAS技术,发现晶格应变可以提高催化剂的稳定性。DFT理论计算进一步证实,晶格应变控制能带结构,并强化了Mo(d)-O(p)-Fe(...
图1. 不同组份SnTe的电输运性能。图1(b)和(c)表明Ge和Sb掺杂结合CdTe或CdS合金化可以显著提升SnTe的塞贝克系数。图1(d)的变温霍尔测试结果证明SnTe的能带收敛温度从原始样品的723 K降低至Sn0.79Ge0.15Sb0.06Te-5% CdTe样品的500 K。图1 (e)和(f)显示了SnTe的PFmax和PFavg的显著提升。图片来源:J. Am....
但是把CONTCAR拷贝成POSCAR，然后再计算能带时，就不收敛了，跑了NELM步之后自己结束。我的INCAR如下：SY...
美国休斯顿大学任志锋教授(通讯作者)等人提出了一种新的预测方法,在p型 Zintl 高熵化合物中YbxCa1-xMgyZn2-ySb2设计一系列同时能带收敛的组合物。设计的组合物具有较大的功率因数和较低的热导率,其中一种组合物与其他p型Zintl相材料相比表现出较大的热电值。同时,得到的材料具有很高的热/时间稳定性。组装的全...
本研究用能带工程收敛了EuTe的第一价带和第二价带,增加了PbTe的带隙宽度,将zT提高到1.7,然后通过调节NaγEu0.03Pb0.97−γTe中Na的含量,使主要微观缺陷发生点缺陷-高密度位错-纳米沉淀物的转变。得到在γ=0.025时,晶格热导率最小,此时zT≈2.2,充分证明了位错工程在提高材料热电性能方面具有有效作用。
但是现在即使采取了以上方法,SnTe 热电材料的峰值也没有超过1.4的,而且往往需要引入Cd或者Hg等有害元素。他们采用同时引入MnTe (让SnTe 热电材料能带收敛) 和 CuTe(Cu离子填隙于材料的晶格之中,形成填隙缺陷)方法,让SnTe 热电材料的zT峰值增长三倍,两种方法各能让热电材料的zT峰值增长1.5倍。
本研究用能带工程收敛了EuTe的第一价带和第二价带,增加了PbTe的带隙宽度,将zT提高到1.7,然后通过调节NaγEu0.03Pb0.97?γTe中Na的含量,使主要微观缺陷发生点缺陷-高密度位错-纳米沉淀物的转变。得到在γ=0.025时,晶格热导率最小,此时zT≈2.2,充分证明了位错工程在提高材料热电性能方面具有有效作用。
但是现在即使采取了以上方法,SnTe 热电材料的峰值也没有超过1.4的,而且往往需要引入Cd或者Hg等有害元素。他们采用同时引入MnTe (让SnTe 热电材料能带收敛) 和 CuTe(Cu离子填隙于材料的晶格之中,形成填隙缺陷)方法,让SnTe 热电材料的zT峰值增长三倍,两种方法各能让热电材料的zT峰值增长1.5倍。
【讨论】[VASP]计算能带的收敛问题 各位虫虫,本人初学VASP,碰到问题来请教。 结构优化的时候,自洽计算是收敛的,最后出现 "reached accuracy"的这个字样 但是把CONTCAR拷贝成POSCAR,然后再计算能带时,就不收敛了,跑了NELM步之后自己结束。 我的INCAR如下:
内容涉及到收敛、截断能、差分电荷、原子显示、功函数、能带等。Materials Studio 理论计算 量子化学|MS杨站长MS杨站长 立即播放 打开App,流畅又高清100+个相关视频 更多 1.3万 80 06:31 App Materials Studio最常用的32个脚本,DFT+分子动力学,MS CASTEP/DMol3/Forcite,掺杂建模、差分电荷密度等,华算MS杨站长 ...