解析 答:当晶体中电子和空穴的数目均很少,电子只占据导带底很少比例的能量状态,空穴处于近满的价带的价带顶附近。在研究材料的电学特性时,只需要具体分析研究导带底和价带顶附近电子的状态,以及禁带的宽度等,则用能带简图即可满足要求了。 能带简图一般只针对非简并状态。
如图6-2所示为pn结接触前、后的平衡能带图,E为导带底,E为价带顶,E为禁带中心,Em、Ep分别为n型和p型半导体的费米能级。(1)试用本征载流子浓度n、能量E、E、和E1表示n型和p型半导体的多数载流子浓度2n0和 p_(pi) ;2)用no、ppo和ni表述pn结的接触电势差VD;(3)用接触电势差 V_D 表述n区和p区半导体...
1.作为电子工业的基础材料二氧化硅被广泛地应用于固态电子元器件的生产中。二氧化硅能带图显示,它的价带和导带之间有9eV的禁带,据此分析,二氧化硅更多地被用作导体还是绝缘体
是否对于半导体而言，本身的结构、应变、缺陷等都会使得能带偏离理想的对称结构，呈现直接带隙和间接带隙呢...
值区近深花计大级照图区决四复并政看委特需值区近深花计大级照图区决四复并政看委特需固体中电子的能带结构中,导带和价带之间的能量区域称为___。值区近深花计大级照图区决
对于下面这张能带图,以下说法错误的是 A、价带的最大值和导带的最小值都出现在k = 0 处 B、导带最小能量与价带最大能量具有相同的k坐标 C、直接带隙半导体 D、这种半导体中两个允带之间电子的跃迁不会对动量产生影响 E、直接带隙材料从理论上说适用于制造半导体激光器和其他光学器件...
14.太阳能发电和阳光分解水制氢气.是清洁能源研究的主攻方向.研究工作之一集中在n-型半导体光电化学电池方面.如图是n-型半导体光电化学电池光解水制氢的基本原理示意图.图中的半导体导带是未充填电子的能级最低的能带.半导体价带是已充填价电子的能级最高的能带.图中的e-
解析 答:当晶体中电子和空穴的数目均很少,电子只占据导带底很少比例的能量状态,空穴处于近满的价带的价带顶附近。在研究材料的电学特性时,只需要具体分析研究导带底和价带顶附近电子的状态,以及禁带的宽度等,则用能带简图即可满足要求了。 能带简图一般只针对非简并状态。
无能为力啊，等我看懂了回答你。