材料和结构因素是影响耗尽层电容大小的主要因素。晶体材料的掺杂浓度、掺杂类型以及败坏浓度都会影响耗尽层电容,结构因素如器件的结构尺寸、PN结或MOS结的面积和宽度等也会对电容大小产生影响。 2. 接入电压 耗尽层电容的大小还与器件的接入电压有关。当器件加上正向偏压时,N区中的少数载流子向...
势垒电容和耗尽层电容是PN结中两种不同的电容,但它们之间存在着一定的关系。在PN结正向偏置时,势垒电容迅速减小,而耗尽层电容随之增大,两者之和保持不变。而在反向偏置时,势垒电容成为主导,而耗尽层电容基本不起作用。 三、势垒电容耗尽层电容在半导体器件中的作用和优势 势垒电容...
MOS电容—耗尽层电容 在耗尽层中束缚电荷的总量为 QqNAXpWLqNAWL 2SiWL qNA 2SiqNA 是耗尽层两侧电位差的函数，耗尽层电容为 CSi dQdv WL 2SiqNA 1 12 2 WL SiqNA2 是一个非线性电容，随电位差的增大而减小。MOS管的电容 MOS电容—耗尽层电容特性 随着Vgs的增大，耗尽层厚度Xp增大，耗尽层上的电压降就...
然而,计算S的问题仍然存在。此外,如果结处于反向偏置,则过渡电容会随着电压值的增加而减小。事实上,通过采用反向极化中V<0的惯例,我们可以得出耗尽层的振幅随着|V|的增加而增加,因为更高的电压值将电荷载流子从结中推走。所以CT取决于V: 其中q是“虚拟板”上的电荷,V是反向偏置电压。
势垒电容是指PN结的空间电荷区产生的电容,其大小与PN结的载流子浓度、结宽和空间电荷区的电位差有关。而耗尽层电容是指PN结中的耗尽层所产生的电容,其大小与耗尽层的厚度和载流子浓度有关。 二、势垒电容耗尽层电容的关系 势垒电容和耗尽层电容是PN结中两种不同的电容,...
当漏电流太大时,会导致耗尽区内电荷积累和损失增加,从而造成器件的电性能下降。 具体来说,漏电流太大会导致以下几个影响: 1. 增大耗尽区宽度:由于漏电流的存在,会使器件内部形成新的耗尽区,并使原有的耗尽区尺寸增大。 2. 增加耗尽层电容:由于漏电流流经耗尽区,会使耗尽区内电荷积累和损失增...
一、耗尽层变窄势垒电容的原理 势垒电容是指在PN结的势垒区域中,由于空间电荷的积累而形成的电容。当PN结外加电压变化时,会引起势垒区的耗尽层宽度变化,从而导致势垒电容的变化。耗尽层电容相当于极板间距为p-n结耗尽层厚度(W)的平板电容,它与外加电压V有关。正向电压升高时,W减薄,电容增大;反向电压升高时,W增厚...
发射极耗尽层电容 发射极耗尽层电容（emitter depletion layer capacitance）是1998年公布的电气工程名词。公布时间 1998年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。出处 《电气工程名词》第一版。
场效应晶体管中的耗尽层:在MOSFET中,耗尽层出现在源极、漏极和沟道之间,这对器件的开关特性有重要影响。 耗尽层的厚度与PN结的偏置电压、材料的性质以及载流子浓度等因素密切相关。 2. 过渡电容的基本概念 过渡电容,有时也被称为结电容,是指在半导体器件的PN结(或MOSFET中的源漏极与沟道之间的结)由于耗尽层的存...