但需要先中和空穴，再积累（耗尽区），直至表面积累到比内部多子浓度还多（反型区）。
了解耗尽区是解释现代半导体电子器件的关键,二极管,双极结型晶体管,场效应晶体管和可变电容二极管都依赖于耗尽区现象。 空间电荷区 空间电荷区也称耗尽层,在PN结中,由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动,使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区,这个表面电荷层是由于载流子被电场排斥到体内而...
在结型场效应管中,耗尽区是指在PN结附近的一个区域,其中自由电荷被耗尽,只剩下不能移动的带电离子。这个区域的形成是由于PN结两侧的半导体材料存在浓度差,导致电子和空穴的扩散运动,进而形成内建电场。在内建电场的作用下,多数载流子被排斥,留下了一个耗尽电荷的区域,即耗尽区。 二...
对耗尽区电场进行积分,可得到内建电势Vbi 对于单边突变结,PN结一侧的掺杂浓度远高于另一侧时,如P+N结 耗尽层主要分布在低掺杂一侧,同时内建电场峰值取决于低掺杂一侧的杂质浓度。 耗尽区宽度与掺杂浓度关系 ?耗尽区宽度与掺杂浓度的关系是:高掺杂浓度导致耗尽区宽度变窄,而低掺杂浓度则导致耗尽区宽度变宽。 原理主...
二极管的耗尽区是电容区,耗尽区的宽度对电容的大小有影响。耗尽区的宽度取决于p-n结的掺杂浓度、外电场大小和温度等因素。当二极管正电压增加时,耗尽区的宽度会减小,电容值变小;反之,二极管反向电压增加时,耗尽区的宽度会增加,电容值变大。同时,二极管耗尽区还会产生漏电流,从而影响二极管的工作性能。 四、电路性能...
含义不同：1、势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。2、耗尽区是指在半导体pn结、肖特基结、异质结中，由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲，从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降的界面区域。
1.空间电荷区(Depletion Region):当P型半导体和N型半导体接触形成PN结时,离子会由P半导体的施主离子和N半导体的受主离子进行扩散,形成带电粒子。这些带电粒子由于彼此之间的相互作用而形成了一个区域,这个区域称为空间电荷区(depletion region),也称为耗尽区。在空间电荷区域内,正负离子通过内部电场形成一个电场较强...
模电耗尽区电流的形成机制与半导体器件的物理结构和工作原理密切相关。当外加电压作用于半导体器件时,会在器件内部形成电场。在电场的作用下,半导体中的电荷会发生移动,形成电流。而在耗尽区内,由于电荷被排斥,使得该区域内的电荷密度极低,因此电荷的运动更加显著...
在C-V曲线上,可以观察到三个主要区域,分别是积累区、耗尽区和深耗尽区。 在耗尽区,半导体表面反型层消失,由原来的N型或P型半导体转变为另一种极性,电子浓度和空穴浓度达到平衡状态。这个区域的电容特性表现出较强的非线性,主要是由于界面态的影响以及氧化层陷阱效应的作用。在耗尽区,半导体表面反型层消失,由原来...
然而,三极管发射结并不是耗尽区。发射结实际上是由半导体材料形成的PN结,它位于三极管的发射极和基极之间。当三极管处于工作状态时,发射结会受到外加电压的影响,但其内部并不会形成耗尽区。相反,发射结的主要作用是允许电流从发射极流向基极,这是三极管实现放大功能的关键步骤...