在5月21日举行的2021年北京地区广受关注学术成果报告会(集成电路领域)上,中国科学院微电子研究所副研究员罗庆说,传统的铁电材料与标准的CMOS工艺兼容性和尺寸微缩难的问题一直制约着铁电存储器的发展,HfO2基铁电材料的发现,开启了铁电存储器研究的新时代。, 视频播放
罗庆 中国科学院微电子研究所, 副研究员 / 科研之友号:82549686 科研之友人员唯一编号 3 项目 148 成果 2650 阅读 24 下载 1201 被引 21 H-指数 主页 成果