品牌: ROHM/罗姆 型号: SCT3080ALGC11 封装: TO-247N 批号: 新年份 数量: 999999 制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247N-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 30 A...
全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社(以下简称“日立安斯泰莫”)用于其纯电动汽车(以下简称“EV”)的逆变器。 在全球实现无碳社会的努力中,汽车的电动化进程加速,在这种背景下,开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总...
“近期公司成功开发出了面向300kW以下电动汽车用牵引逆变器的全SiC模块TRCDRIVE pack™。”罗姆半导体(上海)有限公司深圳分公司技术中心高级经理苏勇锦介绍,罗姆开发出来TRCDRIVE packTM产品,罗姆经过多年的市场调研,包括产品的研发,多轮验证之后,针对客户使用上的痛点,以及客户的需求点,我们把这个产品做出来。 TRCDRIV...
罗姆在SiC技术方面起步较早,2009年通过收购德国的晶圆厂SiCrystal奠定了坚实的基础。 从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理,罗姆一直在自主研发SiC产品升级所需的技术,在制造过程中采用的是一贯制生产体系,目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。 在近期举办的PCIM Asia展会期间,罗姆首次展出了其最新的技术创新成果——E...
罗姆(ROHM)的SIC，即SiC，指的是碳化硅，这是新一代功率器件的优质材料。罗姆公司独创了一条龙生产机制，从晶圆生产直至封装，全流程由公司内部自主进行。德国SICrystal公司于2009年加入罗姆，两家企业携手在SiC领域建立起这一高效生产体制。碳化硅（SiC）作为新一代功率器件的材料，因其高耐压、高电流密度...
此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型,此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此,罗姆已经提供超过3,500 种分立产品的LTspice®模型,这些模型从各产品页面均可下载。目前,罗姆官网上发布的产品所对应的LTspice®模型覆盖率已超过80%,有助于客户利用嵌入了功率元器件...
碳化硅6年商机超2400亿罗姆第4工厂今年将投产 行家说三代半:2023年,罗姆在碳化硅和氮化镓领域有挺多大事件,例如: 今年6月,与纬湃科技达成了一项价值10亿美元(约71.6亿元人民币)的碳化硅芯片长期供应协议。 今年7月,宣布在日本再建8英寸SiC晶圆厂。 今年4月,开始量产推出2款650VEcoGaN™新品。
联合汽车电子 , 罗姆 , SiC功率元器件罗姆于近日与中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司签署了SiC功率元器件的长期供货协议。全球知名半导体厂商罗姆(ROHM Co., Ltd.,以下简称“罗姆”)于近日与中国汽车行业一级综合性 供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd...
总而言之,罗姆的第 4 代沟槽型 SiC 器件的强劲表现,有力回应了对早期 SiC 沟槽器件的许多批评。然而,我们想问的是这一切如何可能发生? Rule 101:保护栅极氧化物 图7 是 PGC 对新的第 4 代器件设计的图解复制。不按比例,图像强调了栅极周围的变化。关于 MOSFET 设计,特别是 SiC 沟槽 MOSFET 设计,主要是在...
7月5日,罗姆子公司 SiCrystal 正在纽伦堡东北部现有工厂正对面扩建用于生产 SiC 晶圆的厂房,加上SiCrystal现有的碳化硅总生产能力,在 2027 年将比 2024 年高出约三倍。 据悉, 新厂房将提供额外的 6,000 平方米生产空间,并将配备最先进的技术,以进一步优化碳化硅晶圆的生产。该建设工程计划于 2026 年初完工。