IT之家 5 月 6 日消息，据美媒 The Journal News 讣告版，现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德（Robert Dennard）于 2024 年 4 月 23 日逝世，享年 91 岁。罗伯特・登纳德于 1932 年 9 月 5 日出生于美国得克萨斯州特雷尔。其于 1958 年获得卡内基理工学院（IT之家注：现卡内基梅隆大学）电气工程博士...
5月 6 日消息,现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德(Robert Dennard)于 2024 年 4 月 23 日逝世,享年 91 岁。O噩耗!“DRAM之父”去世!比肩“戈登·摩尔”! 噩耗!“DRAM之父”去世!比肩“戈登·摩尔”! 俯身不问勤耕苦,抬头已现满天星。缩放终究会结束,创造力永无止境。 Robert H ...
据美国媒体报道,现代DRAM内存发明人罗伯特·登纳德已于 2024 年 4 月 23 日去世,享年 91 岁。 登纳德生于 1932 年 9 月 5 日,成长于美国得克萨斯州特雷尔。他于 1958 年获卡内基理工学院电气工程博士学位,随后加入 IBM 任研究员。 在1960 年代,计算机对内存的需求不断增长,而当时主流的磁芯内存因密度、成本...
2.电脑内存的发明人罗伯特·登纳德去世 Robert Dennard于1932年9月5日出生于美国得州特雷尔,1958年获卡内基理工学院电气工程博士学位,加入IBM担任研究员。在此期间,他认为当时的金属氧化物半导体(MOS)內存速度太慢,而消耗太多芯片面积,经过长期努力发明了用单晶体管电容器带电正负记录数据,反复充电达到数据动态更新的方法...
IT之家 5 月 6 日消息,现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德(Robert Dennard)于 2024 年 4 月 23 日逝世,享年 91 岁。 罗伯特・登纳德于 1932 年 9 月 5 日出生于美国得克萨斯州特雷尔。其于 1958 年获得卡内基理工学院(IT之家注:现卡内基梅隆大学)电气工程博士学位,并加入 IBM 担任研究员。
IT之家5 月 6 日消息,据美媒 The Journal News 讣告版,现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德(Robert Dennard)于 2024 年 4 月 23 日逝世,享年 91 岁。 罗伯特・登纳德于 1932 年 9 月 5 日出生于美国得克萨斯州特雷尔。其于 1958 年获得卡内基理工学院(IT之家注:现卡内基梅隆大学)电气工程博士学位,并...
【现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德逝世,享年 91 岁】罗伯特·登纳德提出了在晶体管中通过快速刷新的电容器电荷记录数据的概念,这一思路成为现代 DRAM 内存的基础。详情点击:http://t.cn/A6HZAUym
IT之家 5 月 6 日消息,现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德(Robert Dennard)于 2024 年 4 月 23 日逝世,享年 91 岁。 罗伯特・登纳德于 1932 年 9 月 5 日出生于美国得克萨斯州特雷尔。其于 1958 年获得卡内基理工学院(IT之家注:现卡内基梅隆大学)电气工程博士学位,并加入 IBM 担任研究员。
IT之家 5 月 6 日消息,现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德(Robert Dennard)于 2024 年 4 月 23 日逝世,享年 91 岁。 罗伯特・登纳德于 1932 年 9 月 5 日出生于美国得克萨斯州特雷尔。其于 1958 年获得卡内基理工学院(IT之家注:现卡内基梅隆大学)电气工程博士学位,并加入 IBM 担任研究员。