外延层,简而言之,就是在特定基底(这里是绝缘体层)上通过特定工艺生长出来的一层单晶硅薄膜。这层薄膜不仅具有与体硅相似的电学特性,如高迁移率、低泄漏电流等,还因其独特的结构优势——与基底的绝缘隔离,而展现出许多体硅所不具备的优越性能。例如,更低的寄生电容、更好的热隔离效果以及更高的辐射硬...
因此,从结构上看,绝缘体上硅外延层并非纯粹的绝缘层,它包含了导电的硅材料和绝缘的衬底。 然而,尽管绝缘体上硅外延层包含导电材料,但其绝缘性能却非常优良。这得益于绝缘衬底对电流的隔离作用,使得电流主要在硅薄膜中流动,而不会轻易泄漏到衬底或...
然而，与EIC不同，PIC在建立能够支持广泛应用的统一平台方面面临着重大挑战。本文将探讨绝缘体上铌酸锂（L...
SOI是绝缘层上硅，SOI与硅都可以应用与微电子与光学方向，所以看你是哪个领域。
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硅作为半导体材料的代表,在现代电子技术中占据着举足轻重的地位。而硅上绝缘层,作为保护硅材料、确保其性能稳定发挥的关键组成部分,同样不可忽视。 一、硅上绝缘层的主要作用 硅上绝缘层的主要作用在于隔离和保护。在半导体器件中,硅材料需要与其他材料或电路部分进行隔离,以防止电...
[0004]一种绝缘体上硅器件的金属间介质层结构,包括覆盖金属互连的富硅氧化物层、富硅氧化物层上的氟硅玻璃层、及氟硅玻璃层上的非掺杂硅酸盐玻璃层,所述富硅氧化物层的厚度为700埃±10%。[0005]在其中一个实施例中,所述富硅氧化物层为原位富硅氧化物层。[0006]在其中一个实施例中,所述非掺杂硅酸盐玻璃层...
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胡正明发明了鳍型晶体管(FinFET)以及「全耗尽型绝缘层上硅晶体管」(FD-SOI),两大革命性创新为半导体带来新契机。 2011年5月英特尔宣布使用FinFET技术,包括台积电、三星、苹果也都陆续采用FinFET,开创了摩尔定律被唱衰后的新契机。 目前,台积电宣布7纳米进入量产,预计在2019上半年展开5纳米制程风险试产,对于产业走到...