Rgoff数值减小(Rgoff是米勒现象影响程度的主要贡献者之一,数值越大,米勒现象越糟糕)。 减慢功率器件的开通速度。 使用米勒钳位功能。 03 对比IGBT与SiC MOSFET对于米勒钳位的需求 以下表格为硅IGBT/ MOSFET和碳化硅MOSFET的具体参数和性能数值对比。 驱动芯片的米勒钳位脚(Clamp)直接连接到SiC MOSFET的门极,米勒电流Igd...
X3 Analog模拟系列的栅极驱动器1ED3491和X3 Digital数字系列的栅极驱动器1ED3890提供米勒钳位预驱动器,可驱动一个外部MOSFET,该MOSFET可以放置在非常靠近SiC MOSFET的地方,以减小寄生电感,获得最好的钳位效果。 电平位移驱动器: 2ED1323S12P电平位移栅极驱动器同时提供了有源米勒钳位功能和过电流(ITRIP)保护。 米勒钳...
使用米勒钳位功能。 03 对比IGBT与SiC MOSFET对于米勒钳位的需求 以下表格为硅IGBT/ MOSFET和碳化硅MOSFET的具体参数和性能数值对比。 驱动芯片的米勒钳位脚(Clamp)直接连接到SiC MOSFET的门极,米勒电流Igd(红色线)会流经Cgd→Clamp脚→T5到负电源轨,形成了一条更低阻抗的门极电荷泄放回路。 驱动芯片内部比较器的翻...
基本半导体自主研发推出可支持米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片BTD25350,此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计,能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通,该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。 型号列表 关于基本半导体 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体创新企业,专业从事碳...
- 使用米勒钳位功能。 03 IGBT与SiC MOSFET对于米勒钳位的需求 以下表格为硅IGBT/ MOSFET和碳化硅MOSFET的具体参数和性能数值对比。 -驱动芯片的米勒钳位脚(Clamp)直接连接到SiC MOSFET的门极,米勒电流Igd(红色线)会流经Cgd→Clamp脚→T5到负电源轨,形成了一条更低阻抗的门极电荷泄放回路。
基本半导体自主研发推出可支持米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片BTD25350,此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计,能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通,该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。 型号列表 延伸阅读 新品推荐 | 基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片mp...
SiC MOSFET：驱动负压受限（-4V~-8V），阈值电压低且对温度敏感，必须依赖米勒钳位抑制误开通。4. 实测验证 在双脉冲测试中，开启米勒钳位功能后，下管栅极电压波动显著降低（从7.3V降至2V），有效避免误开通（详见第55-56页测试数据）。5. 系统优化意义 提升效率：减少开关损耗和直通损耗，优化整机效率。支持...
使用米勒钳位功能。 03对比IGBT与SiC MOSFET对于米勒钳位的需求 以下表格为硅IGBT/ MOSFET和碳化硅MOSFET的具体参数和性能数值对比。 驱动芯片的米勒钳位脚(Clamp)直接连接到SiC MOSFET的门极,米勒电流Igd(红色线)会流经Cgd→Clamp脚→T5到负电源轨,形成了一条更低阻抗的门极电荷泄放回路。
米勒钳位的精妙之处在于主动干预电荷流动。当检测到电压超过阈值时,钳位电路立即建立低阻抗通路,将多余电荷导入地线或电源。这个过程需要精确的时间控制,动作过早影响开关速度,动作过晚失去保护作用。某款服务器电源模块的实测数据显示,采用动态调整触发阈值的智能钳位方案,可将电压过冲抑制在标称值的5%以内,同时保持开关损...
米勒钳位的核心思路是在栅极驱动路径中增加钳位电路,限制栅极电压的异常波动。具体操作上,可以在栅极与地之间并联稳压二极管或瞬态电压抑制器,利用其反向击穿特性将电压固定在安全值。另一种方法是采用电阻电容串联网络,在驱动信号上升沿或下降沿期间对栅极电荷进行分流。 实际设计需要考虑钳位元件的响应速度与功耗平衡。比...