1、刻蚀原理不同:RIE是通过化学反应形成反应产物进行刻蚀,而PECVD则是通过等离子体在表面形成物理和化学反应进行刻蚀。 2、刻蚀速率不同:RIE刻蚀速率比PECVD快,但刻蚀深度的控制较困难。 3、刻蚀精度和选择性不同:PECVD刻蚀精度和选择性更高,可以对不同的材料进行刻蚀,而RIE的选择性...
等离子体的密度会增加，密度增加会使刻蚀时化学反应增强，从而导致各向同性增强；
首先，让我们澄清一个误解，ICP、CCP、TCP和ECR这些技术并不是区分DRIE和常规RIE的关键，它们其实是用来激发和提供刻蚀所需的等离子体源的不同方式。DRIE的诞生，源于集成电路制造过程中对高深宽比沟槽和通孔的精确蚀刻需求，这在传统的RIE蚀刻技术面前，无疑带来了新的挑战。然而，随着图形密集度的提升...
刻蚀速度更快：因为CCP刻蚀系统能够产生高密度的等离子体，RF（射频）电源产生的电场可以加速离子，使它们...
请问 感应耦合等离子刻蚀（ICP)和深反应离子刻蚀(DRIE)的区别是什么？谢谢
1.在刻蚀到一定深度时候由于副产物堆积在需要刻蚀的沟道&通孔中导致刻蚀速度大幅下降甚至停止 2.随着蚀刻...
1.在刻蚀到一定深度时候由于副产物堆积在需要刻蚀的沟道&通孔中导致刻蚀速度大幅下降甚至停止 2.随着蚀刻...
DRIE和ICP主要区别是产生plasma的方式不同，DRIE是CCP的变种，也电容耦合plasma的一种，至于为什么叫RIE,...