硅可以在多种含氟等离子体和含氯等离子体中进行蚀刻。本文讨论了在商业工艺设备中发挥的作用以及更复杂的相互作用和副作用的一些基本的化学和物理现象。介绍 通过将这种材料的表面暴露在含氟和含氟等离子体中形成的物质上，电路模式被转移到硅上。与这些过程相关的物理和化学已经被研究多年，并以广泛的形式被理解。下面...
CHF_3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的机理分析
探讨刻 蚀机理主要 包括两方 面 内容: (1) 确定离子辅助的刻蚀化学反应; (2) 去除刻 蚀反 应的表面残 余副产物 . 因此 确定刻 蚀反应副 产 物的化学成分对刻蚀实验来说至关重要. 至今, 虽有 一些基于氯基和氟基等离子体刻蚀 BST 薄膜的文献理. 并根据刻蚀机理, 探寻最优化的刻蚀方案. 1 实验实验...
实验采用60MHz/2MHz双频电容耦合等离子体系统刻蚀SiCOH薄膜(k=2.88)一J.真空室为直径450mm的不锈钢圆筒,内置两个平行电极,上下极板直径均为200ram,极板间距为50ram.上电极施加60MHz、165W的射频功率(常州瑞思杰尔公司),下电极施加2MHz功率(美国Comdel公司CX600型),低频功率在10～40W之间改变,从而调整离子轰击能量旧...
微小等离子体发生器刻蚀机理的研究
第26卷第7期强激光与粒子束 Vol〃26 , No〃7 2014年7月HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMSJul〃 , 2014 氧等离子体刻蚀 CVD 金刚石膜的影响机理 * 潘鑫,马志斌,李国伟,曹为,王传新,付秋明 (武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430073) 摘要:采用电子回旋共振(ECR)等离子体在...
有报道称,在中等n掺杂的材料中,(100)和(111)平面之间的刻蚀率比,而在重掺杂硅的蚀刻中没有观察到方向性。与未掺杂的cl源等离子体中,nt硅未掺杂或p型硅的高蚀刻率与电荷转移有关。活化的n型载流子提高了传导带和价带的费米能级,使电子更容易从硅表面转移到化学床C1。在未掺杂的c111>硅上,硅原子之间的距离...
采用XPS方法,通过对刻蚀前后BST(钛酸锶钡)薄膜表面成分,元素化合态以及原子相对百分含量分析,探讨了CHF3/Ar等离子刻蚀BST薄膜的RIE(反应离子刻蚀)机理.研究结果表明,在刻蚀过程中,金属Ba,Sr,Ti和F等离子体发生化学反应并生成相应的氟化物且部分残余在薄膜表面,因为TiF4具有高挥发特性,残余物几乎没有钛氟化物.然而,XP...
等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN／GaNHEMT栅电流的机理 维普资讯 http://www.cqvip.com