” 雄黄( As 4 S 4 ) 和雌黄( As 2 S 3 ) 是提取砷的主要矿物原料,二者在自然界中共生。 回答下列问题: (1) 基态砷原子的价电子轨道排布图为 ___ ,核外电子占据的最高能级的电子云轮廓图形状为 ___ 。 (2) S 、 P 和 N 三种元素第一电离能由大到小的顺序是 ___ 。 (3) 雄黄(...
3 - 中 N— O键的键角(填 “> ” 、 “<” 、 “=” )。 (5) 砷化镓是优良的半导体材料,密度为 g cm -3 , 其晶胞结构如图2所示。 Ga 和 As 原子半径分别为 r 1 pm 和 r 2 pm ,阿伏加德罗常数值为 N A ,则砷化镓晶体的空间利用率为 ___ 。 查看本题试卷 2020届高三化学二轮...
3 - 中 N— O键的键角(填 “> ” 、 “<” 、 “=” )。 (5) 砷化镓是优良的半导体材料,密度为 g cm -3 , 其晶胞结构如图2所示。 Ga 和 As 原子半径分别为 r 1 pm 和 r 2 pm ,阿伏加德罗常数值为 N A ,则砷化镓晶体的空间利用率为 ___ 。 查看本题试卷 2020届高三化学二轮...
3 - 中 N— O键的键角(填 “> ” 、 “<” 、 “=” )。 (5) 砷化镓是优良的半导体材料,密度为 g cm -3 , 其晶胞结构如图2所示。 Ga 和 As 原子半径分别为 r 1 pm 和 r 2 pm ,阿伏加德罗常数值为 N A ,则砷化镓晶体的空间利用率为 ___ 。 查看本题试卷 2020届高三化学二轮每...
3 - 中 N— O键的键角(填 “> ” 、 “<” 、 “=” )。 (5) 砷化镓是优良的半导体材料,密度为 g cm -3 , 其晶胞结构如图2所示。 Ga 和 As 原子半径分别为 r 1 pm 和 r 2 pm ,阿伏加德罗常数值为 N A ,则砷化镓晶体的空间利用率为 ___ 。 查看本题试卷 2020届高三化学二轮每...
3 - 中 N— O键的键角(填 “> ” 、 “<” 、 “=” )。 (5) 砷化镓是优良的半导体材料,密度为 g cm -3 , 其晶胞结构如图2所示。 Ga 和 As 原子半径分别为 r 1 pm 和 r 2 pm ,阿伏加德罗常数值为 N A ,则砷化镓晶体的空间利用率为 ___ 。 查看本题试卷 全国卷I2020届高考...