穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时,此时源端的载流子注入到耗尽层中,被耗尽层中的电场加速达到漏端,因此,穿通击穿的电流也有急剧增大点。这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同,这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流,而雪崩击穿时的电流主要为PN结反向击穿时的雪崩电流。穿通击穿一般不...
【答案】：穿通击穿(基区穿通)是BJT的一种穿通击穿机制．在共发射极接法中，当基极开路而VCE增加时，BC结反偏压VC上升使BC结空间电荷区展宽，其中在中性基这一边可能使基区全部变成耗尽层，而和BE结的空间电荷区连通，于是反偏压VC会使发射结势垒高度降低△V．从而使很大的发射极电流流过晶体管，...
理解MOS管的Drain-Source特性和穿通击穿现象对于正确使用和维护MOSFET至关重要。在使用MOSFET时,应该注意以下几点: 1. 确认引脚功能:正确区分每个引脚的功能,以确保电路正常工作。 2. 防止穿通击穿:通过调整掺杂浓度、PolyCD、Spacer宽度或LDD_IMP等因素来防...
穿通击穿受多晶栅长度影响 1.破坏性击穿并不会出现, 原因:场强没有达到雪崩击穿场强,并不会产生大量电子空穴对; 2.在沟道中间发生; 原因:穿通不容易发生在沟道表面,沟道注入使表面浓度大形成,NMOS管场效应管有防穿通注入; 3.发生在沟道中间:鸟嘴边缘浓度>沟道中间浓度 4.软击穿:击穿过程中,电流渐渐变大; 原...
飞虹MOS管厂家今天要分享的电压型静电击穿的特点。电压型击穿,即MOS管栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路,它的特点是:(1)穿通击穿的击穿点软 李凉叶 2019-02-12 13:59:28 MOSFET的失效机理:什么是雪崩失效 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,就会发生...
What the meant by reach through breakdown (or punch through breakdown)? 什么叫穿通击穿?相关知识点: 试题来源: 解析 答:在集电极之间加高电压时,集电极耗尽区展宽,当集电极耗尽区展宽到与发射极相接时便发生了穿通。发生穿通之后,B-E结势垒变低,因此C-B结电压稍有增加,B-E结便可产生大电流。这就是穿...
UIS能力：优化后的终端设计可提升雪崩能量吸收能力（EAS）。(2) 穿通击穿（Punch-Through）对策：...
摘要:本文研究平行平面穿通结击穿电压的计算.首先根据电离率积分方程得出以归一化外延层厚度为变量 的穿通结击穿电压拟合表达式,然后以此为基础,比较了另两种解析方法计算穿通结击穿电压的结果.分析表明:校正 临界电场法可给出与电离率积分模式一致的击穿电压,而经典临界电场法将导致较大的误差. 关键词:穿通结;击穿...
沪江词库精选穿通击穿英语怎么说、英语单词怎么写、例句等信息 punchthrough breakdown 相似短语 thrill through v. 穿过,闪过 chromosome thread 染色体丝 chronic glomerulonephritis 慢性肾小球性肾炎,慢性血管球性肾炎 chronic pyelonephritis 慢性肾盂肾炎 genus chrysophrys phr. 金鲷属 chrysophrys auratus ...
斗准团入值极金科带别研十设名须根一均匀基区硅BJT的基区宽度为0.5μm,基区杂质浓度Na=1016cm-3.若穿通击穿电压期望值为BVBC=25V,集电区掺杂浓度为若干