总之,该研究证明了空位可以诱导金属氧化物半导体中的缺陷偶极,并有效地调节金属氧化物半导体非晶电极的电荷分离和转移过程。以 BiVO4 为例,在 150 V 极化条件下,缺陷偶极极大地提高了电荷分离和转移效率。通过进一步引入 NiFeOx 表面催化剂...
近日,昆士兰大学Lianzhou Wang,Zhiliang Wang报道了钒酸铋(BiVO4)中的氧空位会因对称性破坏而产生缺陷偶极子。 本文要点 要点1.改性光电极表现出电荷分离和转移能力与外部电极化之间的强相关性,这在未改性样品中是看不到的。在-150 V...