1.离子鞘层 Vdc 首先对离子鞘层产生机理加以说明。如下图A所示的平行板型etch设备(RIE),面对面的一对电极中,RF电源隔着阻隔电容器连接承载wafer的电极端,而对向的上电极则成为接地电位。 图A:离子鞘层 Vdc 13,56MHZ常被使用作为RF电源的频率,即电场方向每秒变化13.56x 106 次。电子由于质量轻(相比较于离子而言...
一、Plasma鞘层内离子的方向性(离子散射) 在解释plasma中离子鞘内的离子散射之前,先熟悉一个重要概念:平均自由程MFP:Mean Free Path( λ)。所谓平均自由程是指粒子自由碰撞到下次碰撞前,期间所运动的平均距离,也即粒子在不碰撞的情况下能够运动的距离。如果Chamber内压力下降,则由于存在Chamber内gas分子数减少,使得平...
在鞘层中,离子的能量分布通常可以分为三个区域:冷区、热区和超热区。冷区是指离子的能量较低的区域,离子在这个区域内的能量主要来源于等离子体中的电场。热区是指离子的能量较高的区域,离子在这个区域内的能量主要来源于等离子体中的热运动。超热区是指离子的能量非常高的区域,离子在这个区域内的能量主要来源于等离...
那些跑得快的离子啊,就更容易冲到前面去,加入到这离子鞘层里头。 而电场呢,就像是一个无形的大手,在背后推着这些离子往前走。它让离子们按照一定的规律运动,不能瞎跑。就好比咱们在马路上开车,得遵守交通规则一样。 咱再打个比方哈,假如说这等离子体是一群调皮的孩子,固体表面是老师。那离子鞘层呢,就像是老师...
离子鞘层产生原理及其内部离子行为 离子鞘层在平行板型蚀刻设备（RIE）中通过RF电源和阻隔电容器的协同作用形成。13.56MHz的RF电源使电子能够快速跟随电场变化，而离子由于质量远大于电子，难以同步运动，因此电子主要从电极进入。下电极在累积电子形成直流偏压（自我偏压），其值受RF功率影响。在稳定状态时，...
等离子体源离子注入(PlasmaSourceIonImplan-tation,简称PSII)方法是一项低温等离子体材料表面改性新技术.在PSII过程中,待处理的样品被直接浸没在等离子体中,在样品上施加脉冲负高压(−10~−100kV)后样品表面周围会形成一个离子鞘层,离子受到鞘层电场加速,从各个方向垂直地轰击样品,从而实现样品材料表面改性.自1986年美...
宏观上看，Plasma整体电中性，离子朝散乱方向运动，而鞘层内部形成电位斜率，吸引离子加速轰击wafer，获得能量。鞘层与电极板的关系由面积比决定。面积越小，鞘层电压越强。因此，Chamber侧壁与上电极等电位，以获得较大电极面积，减少对侧壁的溅射，保护Chamber并避免重金属掉落。
等离子体源离子注入离子鞘层及易变形和退火软化, 适 达材料表面的离子注入剂量及能量的大小, 而这些宜于零件和产品的最后表面处理. 但是, 传统的离子 参数又与样品周围等离子体鞘层的扩展动力学过程束注入过程是一个视线过程, 离子束必须与注入样 密切相关. 因此, 对PSII鞘层扩展动力学过程的理论品表面垂直以减少样...
混合离子束阴极真空弧等离子体鞘层特性
2 0 1 2 年 6月 Nuclear Fus正离子的等离子体 有两种正离子的等离子体鞘层已经有了一定的研在二次电子发射枪中开始使用,两种正离子的不同 究,但是对于不同碰撞以及不同种类离子对两种正密度比值对于细菌失活有着重要的影响[13, 14],因此 离子鞘层的影响的分析不够系统,另外,虽然二次对于两种正离子的等离子...