采用O2 plasma灰化和湿法结合的方法。可以先用O2 plasma轰击光刻胶硬壳表面，使“新鲜”的光刻胶露出，然后再用SPM==》RCA去除光刻胶及产生的颗粒。SPM：浓硫酸+双氧水；RCA1：氨水+双氧水；RCA2:盐酸+双氧水 当然也可以用臭氧水进行清洗。但是O2 plasm会对芯片表面的硅造成少量的损伤，在低端制程（节点<65nm）不...
在O2 Plasma灰化之后,湿法清洗成为了去除剩余光刻胶及颗粒污染物的关键步骤。SPM(浓硫酸+双氧水)、RCA1(氨水+双氧水)和RCA2(盐酸+双氧水)等经典湿法清洗液以其强大的氧化性和络合能力,在去除光刻胶及残留物方面展现出卓越的性能。浓硫酸与双氧水的组合能够产生强烈的氧化作用,有效分解光刻胶并去除有机污染物。同时...
采用O2 plasma灰化和湿法结合的方法。可以先用O2 plasma轰击光刻胶硬壳表面,使“新鲜”的光刻胶露出,然后再用SPM、RCA去除光刻胶及产生的颗粒。 SPM:浓硫酸+双氧水;RCA1:氨水+双氧水;RCA2:盐酸+双氧水 当然也可以用臭氧水进行清洗。 但是O2 plasm会对芯片表面的硅造成少量的损伤...
可以先用O2 plasma轰击光刻胶硬壳表面,使“新鲜”的光刻胶露出,然后再用SPM==》RCA去除光刻胶及产生的颗粒。 SPM:浓硫酸+双氧水;RCA1:氨水+双氧水;RCA2:盐酸+双氧水 当然也可以用臭氧水进行清洗。 但是O2 plasm会对芯片表面的硅造成少量的损伤,在低端制程(节点<65nm)不用考虑硅的损失。当高端制程时,需要完全...
采用O2 plasma灰化和湿法结合的方法。可以先用O2 plasma轰击光刻胶硬壳表面,使“新鲜”的光刻胶露出,然后再用SPM==》RCA去除光刻胶及产生的颗粒。 SPM:浓硫酸+双氧水;RCA1:氨水+双氧水;RCA2:盐酸+双氧水 当然也可以用臭氧水进行清洗。 但是O2 plasm会对芯片表面的硅造成少量的损伤,在低端制程(节点<65nm)不用...
SPM:浓硫酸+双氧水;RCA1:氨水+双氧水;RCA2:盐酸+双氧水。当然也可以用臭氧水进行清洗。但是O2 plasm会对芯片表面的硅造成少量的损伤,在低端制程(节点<65nm)不用考虑硅的损失。当高端制程时,需要完全使用湿法工艺进行去除。 û收藏 转发 1 ñ赞 评论 o p 同时转发到我的微博 按热度 按时间 正在...
四十五所作为国内最大的湿化学设备供应商之一,其设备涵盖了半导体制造几乎所有的湿化学制程,包括:金属刻蚀、深硅刻蚀、二氧化硅刻蚀、RCA清洗、酸洗、有机清洗、去胶、显影、去蜡、制绒、高温侧腐、电镀等。设备操作模式包括全自动、半自动和手动,能根据客户的产能要求、自动化程度、工艺需求等定制最佳的配置方案。
(第六章)(10 分) 答:工业标准湿法清洗工艺称为 RCA 清洗工艺,由美国无线电公司 (RCA)于 20 世纪 60 年代提出。RCA 湿法清洗由一系列有序的浸 入两种不同的化学溶液组成:1 号标准清洗液(SC-1)和 2 号标准清 洗液(SC-2) 。SC-1 的化学配料为 NH4OH/H2O2/H2O 这三种化学物 按 1:1:5 到 1:...
随着微电子技术的不断发展,对晶圆表面洁净度的要求越来越高,使微电子晶圆清洗工艺面临着许多技术难题。本论文主要是针对目前普遍采用的传统的RCA清洗技术的不足,如耗... 朱亚东 - 天津理工大学 被引量: 0发表: 2014年 一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法 本发明涉及一种测量方法,尤其涉及一种测量二氧化硅薄膜致密性...
做完asher以后,不需要去煮浓硫酸,但是需要做其他的清洗,比如RCA中的2号液,氨水+双氧水。因为需要清洗掉颗粒沾污。 当然,如果你的实验不在乎颗粒沾污,清洗也可以�, lilongfgh 3楼: Originally posted by exciting73 at 2014-10-12 23:11:57 胶碳化了,很难去掉。 我们这边有耐高温的光刻胶,离子注入后很容易...