3.其中,高能粒子对半导体材料造成的损伤绝大多数是位移损伤,而电离损伤占比很小,并且位移损伤的主要衡量指标是离位阈能,一般来说,半导体材料的离位阈能越大,其抗高能粒子辐射的能力也越强。因此,亟需一种快速、准确计算半导体材料离位阈能的方法,对半导体材料的抗辐射能力进行高效评估,促进抗辐射半导体材料的开发。
4.目前获得离位阈能数值的方法有很多,多数采用分子动力学方法进行离位阈能的模拟计算,然而,分子动力学计算极度依赖于经验势函数,囿于经验势函数的精度,采用分子动力学方法计算出来的离位阈能数值往往存在偏差,准确度较低。 技术实现要素: 5.本发明解决的问题是现有技术中多采用分子动力学方法模拟计算材料的离位阈能,但...
首先采用分子动力学方法研究了辐射产生的PKA在GaAs太阳电池中引发的微观缺陷特征.结果表明:GaAs材料的离位阈能为12.5eV;稳定状态和"离位峰"处的缺陷数目均与PKA能量... 赵鹏飞 - 南京航空航天大学 被引量: 0发表: 2017年 U+CO体系的分子反应动力学研究 基于CUO分子 (X3 A″)的多体展式分析势能函数 ,用准经...
半导体材料离位阈能的计算软件是由哈尔滨工业大学著作的软件著作,该软件著作登记号为:2022SR0489920,属于分类,想要查询更多关于半导体材料离位阈能的计算软件著作的著作权信息就到天眼查官网!
在LAMMPS模拟Cascade过程当中,我们往往需要对PKA的初始速度进行设置。但某些情况下(如计算体系中某原子的离位阈能)我们需要根据特定能量对特定单位系统下的PKA速度大小进行设置。 以下是官网中metal单位系统下,各个常见物理量的单位。 LAMMPS中对PKA速度的设置为: ...