图5E描述根据本发明的步骤4的具有窗口隧道掩模和蚀刻氧化物层的福勒-诺德海姆单元的截面图。 图5F描述根据本发明的步骤5的具有隧道氧化物层和第一多晶硅层的福勒-诺德海姆块可变单元的截面图。 图5G描述根据本发明的步骤6的具有氧化物-氮化物-氧化物(ONO)沉积以及控制多晶硅层沉积的福勒-诺德海姆块可变单元的截面图。
福勒-诺德海姆块可变EEPROM存储单元 (57)摘要 一种块可变存储单元(400)具有从浮栅区域(410;520)扩展到漏极区域(402;528)的选择控制栅极(408;524)。所述块可变存储单元包括衬底(401;502),该衬底还包括源极注入区域(406)、埋层注入区域(404;512)、活动区域(414;514,516)、以及漏极注入区域(402;528)。隧道氧化...
请问蒲尔-弗朗克效应Poole-Frenkel，福勒-诺德海姆隧穿Fowler-Nordheim哪本书上有详细的介绍？有木有知道...
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