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产品概述:TMR2501采用了一个 的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件,可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出。在-55℃~+150℃范围内,TMR2501的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。TMR2501 ,采用两种封装形式:TO94和SSIP4。
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2024年1月1日消息, 专注于隧道磁阻(TMR)技术的磁传感器制造商江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT)基于高灵敏度TMR技术,推出新型3pT级紧凑型高精度低噪声线性磁传感器 — TMR8503产品。该传感器内部集成了磁场反馈线圈和信号调理电路,可实现3~5 pT/Hz1/2@1Hz的低噪声,以及0.05%级线...
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传感器类型: 磁阻传感器 最小包装数: 1000 工作力: 1 线性度: 0.1(%) 材料物理性质: 磁性材料 材料晶体结构: 多晶 电阻值: 3000(Ohms) 致动器类型: 磁场 迟滞: 0.1 电阻容差: 1(%) 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量...