再采用光照复合法得到g-c3n4-(110)晶面bivo4z型异质结光催化剂,当可见光照射下g-c3n4-(110)晶面bivo4z型异质结光催化剂,暴露(010)晶面bivo4在光的激发下,电子迁移到(010)晶面,空穴迁移到(110)晶面,同时g-c3n4在光的激发下,电子被激发到g-c3n4导带,在g-c3n4的价带留下空穴,在制备z型异质结光催化剂时,b...