串扰电压也都远小于开关管的阈值电压, 由于驱动电流大小间接影响着串扰电压大小,因此设计的米勒箝位电路又给驱动电流创造了良好条件,进一步验证了设计的驱动电路具有可靠性、有效性。 1、仿真验证米勒钳位电路(芯片内部的方案,也采用了关断负压)如下。未采用钳位电路,在另一只管子开通瞬间串扰电压超过了碳化硅mos管的阈值...
本文旨在通过对碳化硅MOS简单驱动电路设计进行全面剖析,帮助读者理解并掌握驱动电路设计的原理和实践方法。同时,通过解释碳化硅MOS的优势和应用,希望读者能够认识到其在功率电子领域的潜在价值,并通过实验结果和分析来验证该设计的有效性。通过阅读本文,读者将获得一个全面而深入的关于碳化硅MOS简单驱动电路设计的掌握。 2....
3.设计步骤。 3.1电路拓扑选择。 3.2元件选型。 3.3驱动电路参数计算。 4.性能评估。 4.1静态特性分析。 4.2动态响应测试。 5.结论 1.引言 1.1 SiC MOS管的优势。 碳化硅(SiC)MOS管具有低导通电阻、高耐压、高工作温度和高频率特性,是功率电子领域的重要组成部分。 1.2驱动电路的重要性。 驱动电路直接影响SiC ...
碳化硅器件相比于硅基器件的优势体现在:阻抗更低,可以缩小产品体积,提高转换效率;频率更高,碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10倍,而且效率不随着频率的升高而降低,可以降低能量损耗;能在更高的温度下运行,同时冷却系统可以做的更简单。
2. 1 驱动电路设计基本要求 SiC MOSFET 对驱动电路的基本要求主要有:①驱动电流要足够大,以缩短米勒平台的持续时间使驱动脉冲前后沿足够陡峭,尤其在多管并联的工况下; ②驱动回路的驱动电阻要小,导通时能够快速对栅极电容充电,关断时栅极电容能够快速放电,以加快 SiC MOSFET 的开关响应速度; ③为了保证 SiC MOSFET...
碳化硅(SiC )MOS器件特性与驱动电路设计-第三代半导体应用技术 SiC MOSFET器件特性与驱动电路设计 一:SiC 器件特性分析 二:SiC 器件驱动电路设计挑战 三:https://pan.baidu.com/s/1NERpK6QFw7bUJkZruAEPuQ提取码11by