爱采购为您精选102条热销货源,为您提供碳化硅衬底、半导体衬底晶圆原料、发电射频单晶衬底,衬底厂家,实时价格,图片大全等
碳化硅晶圆切割 半绝缘双面抛光碳化硅衬底 4H-SiC宽禁带半导体晶体 在线交易 少货必赔 东莞市森烁科技有限公司 4年 查看详情 ￥2.00/片 广东东莞 6寸N型碳化硅晶片碳化硅双面抛光片衬底 双面抛光SiC晶片 科研材料 在线交易 少货必赔 东莞市森烁科技有限公司 4年 查看详情 ￥100.00/片 北京 中诺新材 碳化硅衬底...
2寸Sic碳化硅衬底3C-N型 直径50.8mm 产品级 研究级 上海知明鑫材料科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 上海市青浦区 ¥99999999.00 6寸SIC碳化硅衬底晶圆 6H-P型 直径150mm Zero级 Prime级 上海知明鑫材料科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 ...
通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成氮化镓射频器件。 ②)导电型碳化硅衬底 导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上,需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片,并在外延层上制造各类功率...
按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底两类,这两类衬底经外延生长后分明用于制造功率器件、射频器件等分立器件。 ①半绝缘型碳化硅衬底 半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成氮化镓射频...
碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点,可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限,开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件,具备广泛应用于5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新...
因此，在检测衬底的硬缺陷时，具有60nm解析度的设备更为适合，因为这些硬缺陷可能会导致生产外延片时产生其他缺陷。目前碳化硅衬底缺陷检测基本标准是KLA Candela 8520，国内走Candela技术路线的企业极少，行业几家基本都是走Lasertec技术路线使用相机方案，预计今年会有国产Candela技术路线样机进入验证阶段。外延片的生产流程...
产业链上游1:衬底—晶体生长为最核心工艺环节碳化硅衬底约占碳化硅器件成本的47%,制造技术壁垒最高、价值量最大,是未来SiC大规模产业化推进的核心。从电化学性质差异来看,碳化硅衬底材料可以分为导电型衬底(电阻率区15~30mΩ·cm)和半绝缘型衬底(电阻率高于105Ω·cm)。这两类衬底经外延生长后分别用于制造功率器件...
碳化硅衬底材料在半导体器件中的应用 高功率电子器件 碳化硅在功率MOSFET中的应用 碳化硅在功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）中显示出极大的优势：高击穿电场强度：SiC MOSFET具有高击穿电场强度（3 MV/cm），能够在更高的电压下工作而不发生电击穿。适用于高压电源管理系统和工业控制领域。...
从电化学性质差异来看,碳化硅衬底材料可以分为导电型衬底(电阻率区间15~30mΩ·cm)和半绝缘型衬底(电阻率高于105Ω·cm)。 ● 半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造射频器件、光电器件等。 ● 导电型碳化硅衬底主要应用于制造肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件。