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专利摘要显示，本发明公开一种超高真空碳化硅原料合成炉系统，涉及碳化硅合成技术领域，由其制备的高纯碳化硅粉体原料能够广泛用于半导体碳化硅单晶体的生长及高纯碳化硅陶瓷样品的制备。本发明所述的超高真空碳化硅原料合成炉系统中，炉室为圆筒形立式双层水冷结构，炉室上安装炉盖，炉盖为双层水冷结构，红外测温组件位于炉...
一种用于制备碳化硅粉料的合成炉和合成方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种用于制备碳化硅粉料的合成炉和合成方法说明:本申请公开了一种用于制备碳化硅粉料的合成炉和合成方法,属于半导体材料制备领域。该碳化硅粉料合成炉,其...专利查询请上爱企查
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金融界2024年8月20日消息,天眼查知识产权信息显示,河北同光半导体股份有限公司取得一项名为“超高真空碳化硅原料合成炉系统“,授权公告号CN112516916B,申请日期为2020年12月。专利摘要显示,本发明公开一种超高真空碳化硅原料合成炉系统,涉及碳化硅合成技术领域,由其
金融界2024年8月20日消息,天眼查知识产权信息显示,河北同光半导体股份有限公司取得一项名为“超高真空碳化硅原料合成炉系统“,授权公告号CN112516916B,申请日期为2020年12月。 专利摘要显示,…
金融界2024年8月20日消息,天眼查知识产权信息显示,河北同光半导体股份有限公司取得一项名为“超高真空碳化硅原料合成炉系统“,授权公告号CN112516916B,申请日期为2020年12月。 专利摘要显示,…
河北同光半导体取得超高真空碳化硅原料合成炉系统专利,由其制备的高纯碳化硅粉体原料能够广泛用于半导体碳化硅单晶体的生长及高纯碳化硅陶瓷样品的制备,陶瓷,碳化硅,半导体,合成炉,单晶体