导语:碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的核心,在很多行业都有着举足轻重的地位,但因其高昂的成本却限制了其在下端市场的应用场景以及市场渗透。 碳化硅半导体,以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效率高的优势,可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积,目前主要...
简单来说,半导体材料可以分为三代:第一代是以硅(Si)为代表的元素半导体,第二代是以砷化镓(GaAs)为代表的化合物半导体,而第三代则是以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等为代表的宽禁带半导体材料。这些材料具有更高的热导率、更强的电场耐受能力和更快的开关速度,使得它们在高温、高压、高频和大功率的环境下表现出色。
但此时,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料却在迎来市场倍增与产能扩张。 安森美二季度财报发布后,就将其2022年碳化硅营收预期上调为“同比增长3倍”,而此前目标只是增长1倍;预计到2023年,碳化硅业务收入将超过10亿美元。3倍只是开始,甚至10倍都不止:安森美还计划在2025年前将把公司的碳化硅前道工艺产能扩大...
露笑科技在隔天(9日)回复深交所称,目前国内碳化硅产业刚处于起步阶段,可比项目投资情况较少,本次与合肥市长丰县共同打造第三代半导体(碳化硅)产业园是为了加速公司碳化硅产业布局,抢领碳化硅市场制高点。露笑科技在资金、市场和技术方面已具备了进入碳化硅材料领域的条件,实施第三代半导体(碳化硅)产业园建设是可行的。
在功率半导体发展历史上,功率半导体可以分为三代: 第一代半导体材料:锗、硅等单晶半导体材料,硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料:砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料,砷化镓拥有1.4电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子迁移率。 第三代半导体材料:以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带...